北京微科能创科技有限公司姜俊伟获国家专利权
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龙图腾网获悉北京微科能创科技有限公司申请的专利一种静电放电保护装置、等效电路及芯片获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115296286B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-27发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211072441.3，技术领域涉及：H02H9/04；该发明授权一种静电放电保护装置、等效电路及芯片是由姜俊伟;耿靖斌;耿娟娟;李志翔设计研发完成，并于2022-09-02向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种静电放电保护装置、等效电路及芯片在说明书摘要公布了：本申请提供了一种静电放电保护装置、等效电路及芯片，静电放电保护装置包括第一深阱区和第二深阱区、第三深阱区和第四深阱区、第一注入区和第二注入区、第三注入区和第四注入区、第一阱区和第二阱区、第五注入区和第六注入区，其中，第五注入区用于与芯片的PAD端口连接，第六注入区用于接地，在负向ESD发生时，也能起到很好的防护作用。
本发明授权一种静电放电保护装置、等效电路及芯片在权利要求书中公布了：1.一种静电放电保护装置，其特征在于，所述装置包括： 第一深阱区和第二深阱区，所述第一深阱区和所述第二深阱区形成在半导体衬底中，所述第一深阱区和所述第二深阱区具有第一导电类型； 第三深阱区和第四深阱区，所述第三深阱区形成在所述第一深阱区中，所述第三深阱区具有第二导电类型，所述第四深阱区形成在所述第二深阱区中，所述第四深阱区具有第二导电类型； 第一注入区和第二注入区，所述第一注入区和所述第二注入区形成在所述第一深阱区中，所述第一注入区和所述第二注入区的导电类型不同； 第三注入区和第四注入区，所述第三注入区和所述第四注入区形成在所述第二深阱区中，所述第三注入区和所述第四注入区的导电类型不同，所述第三注入区与所述第一注入区的导电类型相同； 第一阱区和第二阱区，所述第一阱区形成在第三深阱区中，所述第一阱区具有第二导电类型，所述第二阱区形成在所述第四深阱区中，所述第二阱区具有第二导电类型； 第五注入区和第六注入区，所述第五注入区形成在所述第一阱区中，所述第五注入区具有第二导电类型，所述第六注入区形成在所述第二阱区中，所述第六注入区具有第二导电类型； 其中，所述第五注入区用于与芯片的PAD端口连接，所述第六注入区用于接地。
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