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龙图腾网获悉福建兆元光电有限公司申请的专利一种提升LED芯片发光效率的GaN基外延层生长方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116093215B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-27发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310084869.8，技术领域涉及：H10H20/01；该发明授权一种提升LED芯片发光效率的GaN基外延层生长方法是由邹声斌;刘恒山;马昆旺设计研发完成，并于2023-02-07向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种提升LED芯片发光效率的GaN基外延层生长方法在说明书摘要公布了：本发明涉及LED芯片技术领域，具体涉及一种提升LED芯片发光效率的GaN基外延层生长方法。一种提升LED芯片发光效率的GaN基外延层生长方法，包括如下步骤：S2：设定反应腔温度，压力，通入氨气、氮气、100‑300sccm的TMGa22、400‑600sccm的TMIn和25‑200sccm的TMAl，持续5‑20秒；使衬底上生长出0.01‑0.03um的掺杂buffer层；S3：使掺杂buffer层上生长0.1‑0.15um的不掺杂buffer层；S9：完成GaN基外延层的生长。本发明的有益效果在于：所述GaN基外延层的Buffer层包括一层高掺杂浓度的掺杂Buffer层掺杂元素为TMIN、AL和一层不掺杂buffer层，这种结构改善了外延层的磊晶应力，减薄了buffer层，提升了LED芯片的发光效率；所述GaN基外延层相比于常规的LED结构的亮度比提升2％‑5％。

本发明授权一种提升LED芯片发光效率的GaN基外延层生长方法在权利要求书中公布了：1.一种提升LED芯片发光效率的GaN基外延层生长方法，其特征在于，包括如下步骤： S1：将AlN衬底放入金属有机物化学气相沉积设备的反应腔； S2：设定反应腔温度780-880度，压力100-200mbar，通入氨气、氮气、100-300sccm的TMGa2、400-600sccm的TMIn和25-200sccm的TMAl，持续5-20秒；使衬底上生长出0.01-0.03um的掺杂buffer层； S3：设定反应腔压力100-200mbar，温度780-880度，通入氨气、氮气、100-300sccm的TMGa2；持续20-60秒；使掺杂buffer层上生长0.1-0.15um的不掺杂buffer层； S4：在不掺杂buffer层上生长U型GaN层； S5：在U型GaN层上生长N型GaN层； S6：在N型GaN层上生长多量子阱有源区层； S7：在多量子阱有源区层上生长低温P型GaN层； S8：在低温P型GaN层上生长高温P型GaN层； S9：完成GaN基外延层的生长。

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