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龙图腾网获悉电子科技大学申请的专利一种片上集成的瞬态增强型LED驱动电路获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116170916B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-27发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310122457.9，技术领域涉及：H05B45/325；该发明授权一种片上集成的瞬态增强型LED驱动电路是由张有润;章登福;康仕杰;孙永明;甄少伟;张波设计研发完成，并于2023-02-15向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种片上集成的瞬态增强型LED驱动电路在说明书摘要公布了：本发明公开了一种片上集成的瞬态增强型LED驱动电路，属于电源技术领域。该电路应用于光隔离系统中，光隔离系统利用发光二极管LED与光电二极管PD实现电气隔离，控制端产生信号控制LED发光，接收端利用PD将光信号转换为电流信号，经跨阻放大器TIA放大为电压信号，给后续模块处理。由于LED存在较大的寄生结电容，在控制开关LED的过程中，寄生结的充放电会影响LED的开启速度，进而影响光隔离系统的整体传输延时。本文提出的一种瞬态增强的LED驱动电路，在开启LED的瞬间提供瞬态电流，加速LED的开启。

本发明授权一种片上集成的瞬态增强型LED驱动电路在权利要求书中公布了：1.一种瞬态增强的LED驱动电路，其特征在于，包括第一电容、第一反相器、第二反相器、第一或非门、第一比较器、第一NMOS管、第二NMOS管、第三NMOS管、第四NMOS管、第五NMOS管、第六NMOS管、第一PMOS管、第二PMOS管、第三PMOS管、第四PMOS管、第五PMOS管、第六PMOS管、第一偏置电流源和第二偏置电流源；其中， 第一反相器的输入为驱动电路的输入，第一反相器的输出接第一PMOS管的栅极、第一NMOS管的栅极和第六PMOS管的栅极； 第一或非门的一个输入端连接第一反相器的输入，第一或非门的另一个输入接第一比较器的输出，第一或非门的输出端接第二反相器的输入端；第一比较器的正输入端接第一电容的一端、第二PMOS管的漏极和第一PMOS管的源极，第一比较器的负输入端接基准电压；第二反相器的输出端接第二PMOS管的栅极；第一电容的另一端接地； 第二PMOS管的源极接第三PMOS管的漏极，第三PMOS管的源极接电源，第三PMOS管的栅极接第四PMOS管的栅极、第五PMOS管的栅极和漏极、第四NMOS管的漏极； 第四PMOS管的源极接电源，其漏极接第六PMOS管的源极；第六PMOS管的漏极接第一PMOS管的漏极和第一NMOS管的漏极，并作为驱动电路的输出端；第一NMOS管的源极接地； 第四NMOS管的栅极接第三NMOS管的栅极、第二NMOS管的栅极和漏极、第二偏置电流源的一端，第四NMOS管源极接第六NMOS管的漏极； 第六NMOS管的栅极接第五NMOS管的栅极、第一偏置电流源的一端、第三NMOS管的漏极； 第一偏置电流源的另一端和第二偏置电流源的另一端接电源； 第五NMOS管的漏极接第三NMOS管的源极，第五NMOS管的源极、第六NMOS管的源极和第二NMOS管的源极接地。

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