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龙图腾网获悉湖南三安半导体有限责任公司申请的专利一种晶体生长装置获国家实用新型专利权，本实用新型专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN223951268U 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-27发布的实用新型授权公告中获悉：该实用新型的专利申请号/专利号为：202322938641.9，技术领域涉及：C30B15/34；该实用新型一种晶体生长装置是由陈浩;张洁;高玉强设计研发完成，并于2023-10-31向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种晶体生长装置在说明书摘要公布了：本实用新型公开了一种晶体生长装置，包括：坩埚；提拉装置，沿所述坩埚的轴线方向可移动的贯穿于所述坩埚的顶部；以及生长模具，包括变径段，所述变径段包括位于所述坩埚内且沿所述坩埚的轴线方向相邻设置的第一缩径段和第一扩径段，所述第一缩径段和第一扩径段均为筒状结构且均沿所述坩埚的轴线方向延伸，所述第一缩径段具有靠近所述坩埚的顶壁的第一端和远离所述顶壁的第二端，所述第一缩径段的内径由所述第一端向所述第二端减小，所述第一扩径段具有靠近所述顶壁的第三端和远离所述顶壁的第四端，所述第一扩径段的内径由所述第三端向所述第四端增大。本实用新型实施例的晶体生长装置能够在维持晶体尺寸的同时减少晶体缺陷。

本实用新型一种晶体生长装置在权利要求书中公布了：1.一种晶体生长装置，其特征在于，包括： 坩埚； 提拉装置，沿所述坩埚的轴线方向可移动的贯穿于所述坩埚的顶部；以及 生长模具，包括变径段，所述变径段包括位于所述坩埚内且沿所述坩埚的轴线方向相邻设置的第一缩径段和第一扩径段，所述第一缩径段和第一扩径段均为筒状结构且均沿所述坩埚的轴线方向延伸，所述第一缩径段具有靠近所述坩埚的顶壁的第一端和远离所述顶壁的第二端，所述第一缩径段的内径由所述第一端向所述第二端减小，所述第一扩径段具有靠近所述顶壁的第三端和远离所述顶壁的第四端，所述第一扩径段的内径由所述第三端向所述第四端增大，所述第一缩径段的第二端与所述第一扩径段的第三端连接且内径相等； 其中，所述生长模具包括一个所述变径段或沿所述坩埚的轴向依次设置的多个所述变径段，最靠近所述顶壁的变径段中的所述第一缩径段的第一端与所述提拉装置连接；在所述生长模具包括多个所述变径段的情况下，任意相邻的两个所述变径段中，其中一个所述变径段中的所述第一扩径段的第四端与其中另一个所述变径段中的第一缩径段的第一端连接且内径相等。

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