台湾积体电路制造股份有限公司廖忠志获国家专利权
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龙图腾网获悉台湾积体电路制造股份有限公司申请的专利存储器结构获国家实用新型专利权,本实用新型专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN223957877U 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-27发布的实用新型授权公告中获悉:该实用新型的专利申请号/专利号为:202520131158.6,技术领域涉及:H10B10/00;该实用新型存储器结构是由廖忠志设计研发完成,并于2025-01-20向国家知识产权局提交的专利申请。
本存储器结构在说明书摘要公布了:本实用新型涉及一种存储器结构。存储器结构包括多个存储器单元,每个存储器单元包括两个主动区和四个栅极结构,主动区的长度方向沿着第一方向延伸,栅极结构的长度方向沿着第二方向延伸,第二方向垂直于第一方向。每个栅极结构延伸横越主动区的多个通道区。存储器结构还包括一对栅极切割gate‑cut介电部件,在每个存储器单元之间的多个单元边缘且长度方向沿着第一方向延伸,每个栅极切割介电部件接触在每个存储器单元中的四个栅极结构的每一个。
本实用新型存储器结构在权利要求书中公布了:1.一种存储器结构,其特征在于,包括: 多个存储器单元,该多个存储器单元的每一个包括两个主动区和四个栅极结构,该两个主动区的长度方向沿着一第一方向延伸,该四个栅极结构的长度方向沿着一第二方向延伸,该第二方向垂直于该第一方向,每个栅极结构延伸横越该两个主动区的多个通道区;以及 一对栅极切割介电部件,在每个存储器单元之间的多个单元边缘且长度方向沿着该第一方向延伸,每个栅极切割介电部件接触在每个存储器单元中的该四个栅极结构的每一个。
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