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龙图腾网获悉杭州立昂微电子股份有限公司申请的专利一种沟槽内具有散热通道的台阶状沟槽肖特基势垒二极管获国家实用新型专利权，本实用新型专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN223957878U 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-27发布的实用新型授权公告中获悉：该实用新型的专利申请号/专利号为：202423192736.1，技术领域涉及：H10D8/60；该实用新型一种沟槽内具有散热通道的台阶状沟槽肖特基势垒二极管是由刘伟设计研发完成，并于2024-12-24向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种沟槽内具有散热通道的台阶状沟槽肖特基势垒二极管在说明书摘要公布了：本实用新型公开了一种沟槽内具有散热通道的台阶状沟槽肖特基势垒二极管。该二极管内的沟槽内设有散热通道、其在外延层横截面内为连续分布、形成联通蛇形排布；且沟槽在外延层表面的垂直面上的开口为分段设计、总体呈现上小下大的台阶式结构，上部小开口减小了不可导电结构所占芯片面积，增大了正向导通时可导电的半导体面积；而下开口大，避免了器件反向偏置时沟槽底部曲率半径小可能恶化的尖端放电效应；同时该分段设计利于实现在联通蛇形的沟槽内填充的导电多晶硅中形成连续分布的空洞，在该连续空洞中通入冷却液体或气体形成散热通道，达到增强芯片散热能力、降低芯片工作时结温，提高芯片工作功率、可靠性等。

本实用新型一种沟槽内具有散热通道的台阶状沟槽肖特基势垒二极管在权利要求书中公布了：1.一种沟槽内具有散热通道的台阶状沟槽肖特基势垒二极管，其特征在于，包括： 第一导电类型重掺杂的半导体衬底； 位于所述衬底上表面的、第一导电类型轻掺杂的半导体外延层； 位于所述外延层中、开口于所述外延层上表面并向所述外延层内延伸的沟槽；且所述沟槽在所述外延层的同一横截面内为一连续分布的蛇形开口；且所述沟槽在所述外延层上表面的垂直面上的开口呈现为台阶状结构；其中，所述沟槽延伸区外的外延层区间形成台面结构； 填充于沟槽内的第一导电类型重掺杂的导电多晶硅； 所述导电多晶硅内含有的一沿着与所述沟槽横向延伸方向同方向延伸的连续空洞；在所述沟槽肖特基势垒二极管工作时，在所述连续空洞内通入冷却气体或液体，用于散热、降低芯片工作时结温，该连续空洞即为所述散热通道； 覆盖所述沟槽的内壁且用以隔离所述导电多晶硅与所述外延层的第一隔离介质层； 覆盖所述台面结构区的外延层上表面的肖特基势垒金属层； 覆盖所述导电多晶硅上表面的欧姆接触金属层； 由所述第一隔离介质层向上延伸形成、并隔离所述肖特基势垒金属层和所述欧姆接触金属层的第二隔离介质层； 覆盖所述肖特基势垒二极管上表面的阳极金属层； 以及位于所述衬底下表面的阴极金属层，所述衬底下表面与所述阴极金属层形成欧姆接触。

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