厦门市三安集成电路有限公司廖志明获国家专利权
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龙图腾网获悉厦门市三安集成电路有限公司申请的专利双极性晶体管结构及射频放大器获国家实用新型专利权，本实用新型专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN223957879U 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-27发布的实用新型授权公告中获悉：该实用新型的专利申请号/专利号为：202520167240.4，技术领域涉及：H10D10/80；该实用新型双极性晶体管结构及射频放大器是由廖志明;魏鸿基;郭佳衢;何湘阳设计研发完成，并于2025-01-24向国家知识产权局提交的专利申请。
本双极性晶体管结构及射频放大器在说明书摘要公布了：本实用新型实施例提供一种双极性晶体管结构及射频放大器，双极性晶体管结构包括：半导体层，具有第一表面，半导体层包括依次叠层的集电极层、基极层和发射极层；发射极结构，设置在第一表面上，包括依次叠设的发射极台阶和发射极金属；介质层，至少覆盖第一表面暴露于发射极结构外的部分；介质层具有第一开口；基极金属层，基极金属层部分位于第一开口内以通过第一开口连接至基极层，且部分向周边延伸至介质层之上；基极金属层包括与介质层接触的第一金属层，第一金属层括位于介质层之上且环绕第一开口的周边部；周边部的厚度小于或者等于18纳米。本实用新型实施例能够防止基极金属层与介质层之间开裂分层，提高器件的可靠性。
本实用新型双极性晶体管结构及射频放大器在权利要求书中公布了：1.一种双极性晶体管结构，其特征在于，包括： 半导体层11，具有第一表面1131，所述半导体层11包括依次叠层的集电极层111、基极层112和发射极层113；所述第一表面1131为所述发射极层113背向所述基极层112的表面； 发射极结构12，设置在所述第一表面1131上，包括依次叠设的发射极台阶121和发射极金属122； 介质层13，至少覆盖所述第一表面1131暴露于所述发射极结构12外的部分；所述介质层13具有第一开口131； 基极金属层14，所述基极金属层14部分位于所述第一开口131内以通过所述第一开口131连接至所述基极层112，且部分向周边延伸至所述介质层13之上；所述基极金属层14包括与所述介质层13接触的第一金属层141，所述第一金属层141包括位于所述介质层13之上且环绕所述第一开口131的周边部1412；所述周边部1412的厚度小于或者等于18纳米。
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