台湾积体电路制造股份有限公司陈奕寰获国家专利权
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龙图腾网获悉台湾积体电路制造股份有限公司申请的专利具有更高接面崩溃电压的晶体管获国家实用新型专利权，本实用新型专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN223957883U 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-27发布的实用新型授权公告中获悉：该实用新型的专利申请号/专利号为：202520042043.X，技术领域涉及：H10D30/60；该实用新型具有更高接面崩溃电压的晶体管是由陈奕寰;宋主名;周建志;陈斐筠设计研发完成，并于2025-01-08向国家知识产权局提交的专利申请。
本具有更高接面崩溃电压的晶体管在说明书摘要公布了：本实用新型提供一种具有应变源极和漏极结构的晶体管，适用于高压应用。衬底上有栅极堆栈层，且栅极堆栈层具有栅极介电层以与栅极结构。栅极间隙壁存在于栅极堆栈层的侧壁上。二轻掺杂漏极区从栅极堆栈层下方向栅极堆栈层的相对侧延伸。多个应变源极和漏极结构存在于各个轻掺杂漏极区内。应变源极和漏极结构不会延伸到栅极间隙壁的下方。晶体管可以用在高电压组件，并且仍然可以避免接面崩溃。
本实用新型具有更高接面崩溃电压的晶体管在权利要求书中公布了：1.一种晶体管，其特征在于，包括： 衬底； 栅极堆栈层，位于所述衬底之上，所述栅极堆栈层包括栅极介电层以及位于所述栅极介电层之上的栅极结构； 第一轻掺杂漏极区与第二轻掺杂漏极区，所述第一轻掺杂漏极区与所述第二轻掺杂漏极区从所述栅极堆栈层下方向所述栅极堆栈层的相对侧延伸； 栅极间隙壁，位于所述第一轻掺杂漏极区与所述第二轻掺杂漏极区之上的所述栅极堆栈层的侧壁上；以及 应变源极和漏极结构，位于各个轻掺杂漏极区内，其中所述应变源极和漏极结构不延伸到所述栅极间隙壁的下方。
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