台湾积体电路制造股份有限公司吕旻轩获国家专利权
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龙图腾网获悉台湾积体电路制造股份有限公司申请的专利半导体装置获国家实用新型专利权，本实用新型专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN223957887U 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-27发布的实用新型授权公告中获悉：该实用新型的专利申请号/专利号为：202421603682.0，技术领域涉及：H10D84/83；该实用新型半导体装置是由吕旻轩;王圣璁;苏焕杰;陈姿蓓;刘皓恒;林建宏;王志豪设计研发完成，并于2024-07-08向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体装置在说明书摘要公布了：本实用新型提供一种半导体装置，包括：第一源极漏极区以及第二源极漏极区，在基板之上；栅极结构，第一源极漏极区以及第二源极漏极区位于栅极结构的两侧；源极漏极接触件，在第一源极漏极区上方且邻近栅极结构；底部接触蚀刻停止层B‑CESL，位于栅极结构与源极漏极接触件之间；栅极间隔物，位于B‑CESL与栅极结构之间；源极漏极接触衬层，位于B‑CESL与源极漏极接触件之间，其中源极漏极接触衬层的第一材料的第一氧浓度大于栅极间隔物的第二材料的第二氧浓度，且其中B‑CESL的第三材料的第三氧浓度大于栅极间隔物的第二材料的第二氧浓度。
本实用新型半导体装置在权利要求书中公布了：1.一种半导体装置，其特征在于，包括： 一第一源极漏极区以及一第二源极漏极区，在一基板之上； 一栅极结构，该第一源极漏极区以及该第二源极漏极区位于该栅极结构的两侧； 一源极漏极接触件，在该第一源极漏极区上方且邻近该栅极结构； 一底部接触蚀刻终止层，位于该栅极结构与该源极漏极接触件之间； 一栅极间隔物，位于该底部接触蚀刻终止层与该栅极结构之间；以及 一源极漏极接触衬层，位于该底部接触蚀刻终止层与该源极漏极接触件之间， 其中该源极漏极接触衬层的一第一材料的一第一氧浓度大于该栅极间隔物的一第二材料的一第二氧浓度；以及 其中该底部接触蚀刻终止层的一第三材料的一第三氧浓度大于该栅极间隔物的该第二材料的该第二氧浓度。
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