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龙图腾网获悉台湾积体电路制造股份有限公司申请的专利半导体装置获国家实用新型专利权，本实用新型专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN223957888U 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-27发布的实用新型授权公告中获悉：该实用新型的专利申请号/专利号为：202520152669.6，技术领域涉及：H10D84/83；该实用新型半导体装置是由吴以雯;林芮萍;黄柏瑜;李振铭;杨复凯;王美匀设计研发完成，并于2025-01-22向国家知识产权局提交的专利申请。

本半导体装置在说明书摘要公布了：一种半导体装置，包括：由基底凸出的第一鳍片和第二鳍片，在第一方向上长度延伸；于第一鳍片和第二鳍片上的第一栅极堆叠和第二栅极堆叠，在第二方向上长度延伸，第二方向垂直于第一方向；分别设置于第一栅极堆叠和第二栅极堆叠的侧壁上的第一栅极间隔物层和第二栅极间隔物层；分别于第一鳍片和第二鳍片上的第一外延部件和第二外延部件，且包夹于第一栅极堆叠与第二栅极堆叠之间；依序于第一外延部件上的第一硅化物层和第一接触部件；依序于第二外延部件上的第二硅化物层和第二接触部件；以及设置于第一鳍片与第二鳍片之间的隔离部件。隔离部件由第一栅极间隔物层连续性地延伸至第二栅极间隔物层，且将第一接触部件与第二接触部件隔开。

本实用新型半导体装置在权利要求书中公布了：1.一种半导体装置，其特征在于， 一第一鳍片，由一基底凸出，该第一鳍片在一第一方向上长度延伸； 一第二鳍片，由该基底凸出，该第二鳍片在该第一方向上长度延伸； 一第一栅极堆叠，于该第一鳍片和该第二鳍片上，该第一栅极堆叠在一第二方向上长度延伸，该第二方向垂直于该第一方向； 一第二栅极堆叠，于该第一鳍片和该第二鳍片上，该第二栅极堆叠在该第二方向上长度延伸； 一第一栅极间隔物层，设置于该第一栅极堆叠的侧壁上； 一第二栅极间隔物层，设置于该第二栅极堆叠的侧壁上； 一第一外延部件，于该第一鳍片上，且包夹于该第一栅极堆叠与该第二栅极堆叠之间； 一第一硅化物层，于该第一外延部件上； 一第一接触部件，于该第一硅化物层上； 一第二外延部件，于该第二鳍片上，且包夹于该第一栅极堆叠与该第二栅极堆叠之间； 一第二硅化物层，于该第二外延部件上； 一第二接触部件，于该第二硅化物层上；以及 一隔离部件，设置于该第一鳍片与该第二鳍片之间， 其中在该半导体装置的俯视图中，该隔离部件沿着该第一方向由该第一栅极间隔物层连续性地延伸至该第二栅极间隔物层，以及 其中在与该第一方向垂直的该半导体装置的剖面示意图中，该隔离部件将该第一接触部件与该第二接触部件隔开。

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