台湾积体电路制造股份有限公司叶德夫获国家专利权
买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！
龙图腾网获悉台湾积体电路制造股份有限公司申请的专利半导体结构获国家实用新型专利权，本实用新型专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN223957889U 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-27发布的实用新型授权公告中获悉：该实用新型的专利申请号/专利号为：202423218799.X，技术领域涉及：H10D84/85；该实用新型半导体结构是由叶德夫;陈俊良;杜政杰;洪若珺;郑郁陵;庄英良设计研发完成，并于2024-12-26向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体结构在说明书摘要公布了：半导体结构包含一个P型金属氧化场效晶体管PMOS区；一个N型金属氧化场效晶体管NMOS区；且氧化扩散层OD结构位于P型金属氧化场效晶体管区及N型金属氧化场效晶体管区，其中这些氧化扩散层结构的一者和另一者以小于20纳米的距离均匀地隔开。
本实用新型半导体结构在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构，其特征在于，包含： 一p通道金属氧化物半导体区域； 一n通道金属氧化物半导体区域；以及 多个氧化扩散层结构位于该p通道金属氧化物半导体区域和该n通道金属氧化物半导体区域之中，其中所述多个氧化扩散层结构的一者和另一者以小于20纳米的一距离均匀地隔开。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人台湾积体电路制造股份有限公司，其通讯地址为：中国台湾新竹市新竹科学工业园区力行六路八号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
以上内容由龙图腾AI智能生成。
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
开放平台
担保交易
惠及多方
会员特惠
专属平台
适合多方
数据共享
功能齐全
皖公网安备 34010402703815号
请提出您的宝贵建议，有机会获取IP积分或其他奖励