台湾积体电路制造股份有限公司王苡璇获国家专利权
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龙图腾网获悉台湾积体电路制造股份有限公司申请的专利像素传感器结构和感测系统获国家实用新型专利权,本实用新型专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN223957896U 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-27发布的实用新型授权公告中获悉:该实用新型的专利申请号/专利号为:202520040320.3,技术领域涉及:H10F39/18;该实用新型像素传感器结构和感测系统是由王苡璇;黄正宇;江伟杰;周耕宇;庄君豪;吴纹浩设计研发完成,并于2025-01-08向国家知识产权局提交的专利申请。
本像素传感器结构和感测系统在说明书摘要公布了:本揭露中的一些实施例包括像素传感器结构和制造方法。该像素传感器结构包括透镜结构、光电二极管传感器结构,以及位于透镜结构与光电二极管传感器结构之间的光间隔结构。相较于包括没有透镜结构和光间隔结构的光电二极管传感器结构的另一种像素传感器结构,透镜结构通过光间隔结构重新导向近红外光并至光电二极管传感器结构,而可以提升量子效率性能。此外,在整个像素传感器结构中可以包括不同配置的抗反射涂层,以进一步提升光电二极管传感器结构的量子效率性能。
本实用新型像素传感器结构和感测系统在权利要求书中公布了:1.一种像素传感器结构,其特征在于,包括: 光电二极管区域,具有在半导体层中的光电二极管传感器结构; 透镜结构,与所述光电二极管区域分开,且具有面离所述光电二极管区域的凸出表面;以及 光间隔结构,在所述光电二极管区域与所述透镜结构之间, 其中所述光间隔结构被配置为维持透镜结构底部与光电二极管区域顶部之间的间隔距离。
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