江西乾照半导体科技有限公司吴真龙获国家专利权
买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！
龙图腾网获悉江西乾照半导体科技有限公司申请的专利一种多结太阳能电池获国家实用新型专利权，本实用新型专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN223957903U 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-27发布的实用新型授权公告中获悉：该实用新型的专利申请号/专利号为：202423128372.0，技术领域涉及：H10F77/14；该实用新型一种多结太阳能电池是由吴真龙设计研发完成，并于2024-12-18向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种多结太阳能电池在说明书摘要公布了：本实用新型提供了多结太阳能电池，在至少一子电池的背场层与基区之间还设有DBR反射镜；同时，所述背场层的厚度为第一反射光与第二反射光发生完全相消干涉所需的厚度。基于上述结构，通过DBR反射镜，将初次未被吸收的光子反射回去被二次吸收，相当于变相增加了有效吸收厚度，可以减薄基区厚度、减少少子复合，从而提高电池的抗辐照性能。此外，通过所述设置背场层可实现完全相消干涉，使的得其在不影响DBR反射镜的反射效果的前提下，可保证通过背场层有效钝化子电池表面的少子复合，提高光生载流子的收集效率，藉以提高电池转化效率。从而，实现了电池的抗辐照性能和光生载流子的收集效率的同步提升。
本实用新型一种多结太阳能电池在权利要求书中公布了：1.一种多结太阳能电池，其特征在于，包括： 多结子电池以及位于相邻两结子电池之间的隧穿结；所述隧穿结包括沿第一方向依次层叠的N型层和P型层； 其中，至少一子电池包括沿第一方向依次设置的背场层、基区、发射区以及窗口层；且在该所述子电池中，在所述背场层与所述基区之间还设有DBR反射镜；同时，所述背场层的厚度为第一反射光与第二反射光发生完全相消干涉所需的厚度，所述第一反射光为太阳光从DBR反射镜垂直入射至所述DBR反射镜与所述背场层的界面时的反射光，所述第二反射光为太阳光从DBR反射镜垂直入射至所述背场层靠近所述隧穿结的表面时的反射光。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人江西乾照半导体科技有限公司，其通讯地址为：330104 江西省南昌市新建区望城新区宁远大街1288号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
以上内容由龙图腾AI智能生成。
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
开放平台
担保交易
惠及多方
会员特惠
专属平台
适合多方
数据共享
功能齐全
皖公网安备 34010402703815号
请提出您的宝贵建议，有机会获取IP积分或其他奖励