昕原半导体(上海)有限公司崔凯获国家专利权
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龙图腾网获悉昕原半导体(上海)有限公司申请的专利电阻式存储元件及存储器件获国家实用新型专利权，本实用新型专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN223957920U 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-27发布的实用新型授权公告中获悉：该实用新型的专利申请号/专利号为：202422686808.1，技术领域涉及：H10N70/20；该实用新型电阻式存储元件及存储器件是由崔凯;乔夫龙;张适杰;赵刘明设计研发完成，并于2024-11-04向国家知识产权局提交的专利申请。
本电阻式存储元件及存储器件在说明书摘要公布了：本披露公开了一种电阻式存储元件及存储器件，所述电阻式存储元件包括下电极结构和依次层叠在所述下电极结构上方的阻变层和上电极结构，所述上电极结构和所述阻变层的背向电阻式存储元件的侧壁方向上依次设置有第一侧墙和第二侧墙；所述第一侧墙覆盖所述上电极结构和所述阻变层的侧壁；所述第二侧墙覆盖所述第一侧墙的表面；所述第一侧墙和所述第二侧墙采用的材料不同。利用本申请的方案，可解决阻变存储器在制备过程中的反溅问题，并增加存储元件的稳定性。且可使得第一侧墙能够耐热耐压力，且与上电极结构、阻变层能够紧密地结合，以及实现第二侧墙与第一侧墙、后续制备接触孔工艺过程中沉积的介电材料能够紧密地结合。
本实用新型电阻式存储元件及存储器件在权利要求书中公布了：1.一种电阻式存储元件，包括下电极结构和依次堆叠在所述下电极结构上方的阻变层和上电极结构，其特征在于，所述上电极结构和所述阻变层的背向电阻式存储元件的侧壁方向上依次设置有第一侧墙和第二侧墙，所述第一侧墙覆盖所述上电极结构和所述阻变层的侧壁，所述第二侧墙覆盖所述第一侧墙的表面； 其中，所述第一侧墙和所述第二侧墙采用的材料不同。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人昕原半导体(上海)有限公司，其通讯地址为：201306 上海市浦东新区中国(上海)自由贸易试验区临港新片区鸿音路1211号13幢304室；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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