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龙图腾网获悉意法半导体股份有限公司申请的专利制造HEMT器件的栅极端子的方法和HEMT器件获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN112750701B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-03发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202011182250.3，技术领域涉及：H10D30/01；该发明授权制造HEMT器件的栅极端子的方法和HEMT器件是由F·尤克拉诺;C·特林加里设计研发完成，并于2020-10-29向国家知识产权局提交的专利申请。

本制造HEMT器件的栅极端子的方法和HEMT器件在说明书摘要公布了：本公开的各实施例涉及制造HEMT器件的栅极端子的方法和HEMT器件。一种用于制造HEMT器件的方法，包括：在异质结构上形成电介质层；形成穿过电介质层的贯通开口；以及在贯通开口中形成栅极电极。形成栅极电极包括：形成牺牲结构；通过蒸镀沉积第一栅极金属层；实施牺牲结构的剥离；通过溅射沉积第二栅极金属层；以及沉积第三栅极金属层。第二栅极金属层形成抵抗金属原子向异质结构扩散的屏障。

本发明授权制造HEMT器件的栅极端子的方法和HEMT器件在权利要求书中公布了：1.一种用于制造高电子迁移率晶体管HEMT器件的方法，包括： 在半导体主体的异质结构上形成电介质层； 形成贯通开口，所述贯通开口穿过所述电介质层延伸到所述异质结构的表层区域；以及 在所述贯通开口中形成栅极电极，形成所述栅极电极包括： 在所述电介质层上形成牺牲结构，所述牺牲结构在所述电介质层上横向延伸到所述贯通开口； 通过蒸镀过程，将第一栅极金属层沉积在所述贯通开口中、并且沉积到所述牺牲结构上，所述第一栅极金属层被配置为与所述异质结构形成肖特基接触； 执行剥离步骤包括移除所述第一栅极金属层的、在所述牺牲结构上的部分以及所述牺牲结构； 通过溅射过程，在所述第一栅极金属层和所述电介质层上、并与所述第一栅极金属层和所述电介质层直接接触地沉积第二栅极金属层，所述第二栅极金属层由氮化钨组成；以及 在所述第二栅极金属层上沉积第三栅极金属层，所述第三栅极金属层包括铝， 所述第二栅极金属层形成抵抗铝原子从所述第三栅极金属层朝向所述异质结构扩散的屏障， 其中所述电介质层包括氮化硅， 其中形成所述牺牲结构包括： 在所述电介质层上形成不可光限定材料的第一牺牲层； 在所述第一牺牲层上形成可光限定材料的第二牺牲层； 执行光刻工艺以移除所述第二牺牲层的、至少部分地对应于所述贯通开口的选择性部分，直至到达所述第一牺牲层；以及 通过各向同性地蚀刻所述第一牺牲层，在所述第二牺牲层下方形成底切区域， 其中沉积所述第二栅极金属层包括：与所述电介质层、并且与所述第一栅极金属层直接接触地沉积氮化钨， 其中沉积所述第三栅极金属层包括：与所述第二栅极金属层直接接触地实施铝的溅射过程， 其中所述方法还包括： 在相应的掩蔽蚀刻步骤期间，移除所述第二栅极金属层和所述第三栅极金属层的选择性部分，所述选择性部分横向地延伸到所述贯通开口；以及 形成三层堆叠，所述三层堆叠包括在所述贯通开口处彼此重叠并且对齐的所述第一栅极金属层、所述第二栅极金属层和第三栅极金属层。

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