台湾积体电路制造股份有限公司邹贤儒获国家专利权
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龙图腾网获悉台湾积体电路制造股份有限公司申请的专利扇出型硅中介物、芯片封装结构及其形成方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113206059B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-03发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202011406642.3，技术领域涉及：H10W70/63；该发明授权扇出型硅中介物、芯片封装结构及其形成方法是由邹贤儒;吴志伟;卢思维;施应庆设计研发完成，并于2020-12-04向国家知识产权局提交的专利申请。
本扇出型硅中介物、芯片封装结构及其形成方法在说明书摘要公布了：一种扇出型硅中介物及包括其的芯片封装结构，芯片封装结构的形成方法包括：形成穿过硅衬底的硅穿孔结构的阵列，且在硅穿孔结构的阵列的后侧表面上形成封装侧金属接垫。在载体衬底之上设置硅衬底，并在硅衬底周围形成环氧模制化合物中介物框架。在硅衬底及环氧模制化合物中介物框架之上形成管芯侧重布线结构，并将至少一个半导体管芯贴合到管芯侧重布线结构。从封装侧金属接垫下方移除载体衬底。在封装侧金属接垫及环氧模制化合物中介物框架上形成封装侧重布线结构。封装侧重布内连线与封装侧金属接垫之间的覆叠容差由于封装侧金属接垫的面积增大而增大。
本发明授权扇出型硅中介物、芯片封装结构及其形成方法在权利要求书中公布了：1.一种芯片封装结构，特征在于包括扇出型硅中介物及贴合到所述扇出型硅中介物的至少一个半导体管芯，其中所述扇出型硅中介物包括： 桥接管芯，包括延伸穿过硅衬底的硅穿孔结构的阵列； 包封体中介物框架，在侧向上环绕所述桥接管芯； 管芯侧重布线结构，包括管芯侧接合垫，所述至少一个半导体管芯贴合到所述管芯侧接合垫； 封装侧金属接垫，接触所述硅穿孔结构的阵列的封装侧端面；以及 封装侧重布线结构，在所述管芯侧重布线结构相对于所述桥接管芯的相对侧处位于所述封装侧金属接垫上， 其中所述桥接管芯与所述封装侧重布线结构之间的水平表面比所述包封体中介物框架与所述封装侧重布线结构之间的水平表面更接近所述至少一个半导体管芯， 其中包括所述封装侧金属接垫与所述封装侧重布线结构之间的界面的水平面比包括所述包封体中介物框架与所述封装侧重布线结构之间的界面的水平面更接近所述至少一个半导体管芯。
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