桑迪士克科技有限责任公司大津良孝获国家专利权
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龙图腾网获悉桑迪士克科技有限责任公司申请的专利包括多层壕沟隔离结构的三维存储器器件及其制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114730755B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-03发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202080081723.2，技术领域涉及：H10W20/40；该发明授权包括多层壕沟隔离结构的三维存储器器件及其制造方法是由大津良孝;今井宗之;金泽纯平设计研发完成，并于2020-12-29向国家知识产权局提交的专利申请。
本包括多层壕沟隔离结构的三维存储器器件及其制造方法在说明书摘要公布了：本公开提供了一种形成三维存储器器件的方法，该方法包括：形成第一绝缘层和第一牺牲材料层的第一层交替堆叠；使用相同的蚀刻步骤穿过该第一交替堆叠形成第一层存储器开口、第一层支撑开口和第一层壕沟沟槽；在相同的沉积步骤期间在第一壕沟层沟槽中形成第一介电壕沟结构并且在第一层支撑开口中形成第一支撑柱结构；在第一层存储器开口中形成存储器堆叠结构；在形成该第一介电壕沟结构之后穿过该第一层交替堆叠形成背侧沟槽；穿过该背侧沟槽用第一导电层替换第一牺牲材料层的部分；以及穿过被该第一介电壕沟结构围绕的第一绝缘板和第一介电材料板的第一竖直交替序列形成至少一个直通存储器层级互连通孔结构。
本发明授权包括多层壕沟隔离结构的三维存储器器件及其制造方法在权利要求书中公布了：1.一种三维存储器器件，所述三维存储器器件包括： 第一绝缘层和第一导电层的第一层交替堆叠，所述第一层交替堆叠定位在半导体材料层上方； 第二绝缘层和第二导电层的第二层交替堆叠，所述第二层交替堆叠定位在所述第一层交替堆叠上方； 存储器堆叠结构，所述存储器堆叠结构竖直地延伸穿过所述第二层交替堆叠和所述第一层交替堆叠； 第一介电壕沟结构，所述第一介电壕沟结构竖直地延伸穿过所述第一层交替堆叠并且横向围绕第一绝缘板和第一介电材料板的第一竖直交替序列； 多个介电柱结构，所述多个介电柱结构竖直地延伸穿过所述第二层交替堆叠并且接触所述第一介电壕沟结构的顶表面；和 至少一个直通存储器层级互连通孔结构，所述至少一个直通存储器层级互连通孔结构至少从包括所述第二层交替堆叠的顶表面的水平平面竖直地延伸，穿过第一绝缘板和第一介电材料板的所述第一竖直交替序列，直至延伸到包括所述半导体材料层的底表面的水平平面下方的相应金属互连结构。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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