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龙图腾网获悉西安电子科技大学广州研究院;西安电子科技大学申请的专利一种增强型氮化镓基晶体管及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114899227B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-03发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210492930.8，技术领域涉及：H10D64/27；该发明授权一种增强型氮化镓基晶体管及其制备方法是由徐美;刘志宏;樊雨佳;许淑宁;邢伟川;周瑾;杨伟涛;冯欣;张进成;郝跃设计研发完成，并于2022-05-07向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种增强型氮化镓基晶体管及其制备方法在说明书摘要公布了：一种增强型氮化镓基晶体管，自下而上包括衬底、复合缓冲层、沟道层和势垒层，在势垒层上设置有P型氮化物帽层、钝化层、源电极、漏电极和栅电极，P型氮化物帽层在侧面和顶面均被栅电极包围，钝化层布设于栅电极与源电极之间以及栅电极与漏电极之间；栅电极与势垒层形成肖特基接触，源电极和漏电极均与势垒层形成欧姆接触；沟道层与势垒层之间形成异质结，且极化效应在异质结界面的沟道层一侧形成二维电子气沟道。该P型氮化物帽层耗尽了沟道中的部分二维电子气，提高了器件的阈值电压，实现增强型器件的目的，P型氮化物帽层周围的栅电极解决了常规P型氮化物增强型器件栅控能力弱、导通电阻大等问题，且减小了栅长，提高了频率特性。

本发明授权一种增强型氮化镓基晶体管及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种增强型氮化镓基晶体管，包括自下而上的衬底1、复合缓冲层2、沟道层3和势垒层4，其特征在于，所述复合缓冲层2、沟道层3和势垒层4均采用三族氮化物半导体，所述复合缓冲层2包括三层，自下而上分别为成核层21、过渡层22与缓冲层23，所述成核层21的材料采用AlN或GaN，厚度100-300nm；所述过渡层22的材料采用AlGaN，厚度为200-1000nm；所述缓冲层23的材料采用GaN或AlGaN，厚度为100-3000nm；在所述势垒层4上设置有P型氮化物帽层6、钝化层5、源电极7、漏电极8和栅电极9，所述P型氮化物帽层6在侧面和顶面均被所述栅电极9包围，所述钝化层5布设于所述栅电极9与源电极7之间以及所述栅电极9与漏电极8之间；所述栅电极9与势垒层4形成肖特基接触，所述源电极7和漏电极8均与势垒层4形成欧姆接触；所述沟道层3与势垒层4之间形成异质结，并由极化效应在异质结界面的沟道层3一侧形成二维电子气沟道，所述P型氮化物帽层6使得器件沟道中的二维电子气部分耗尽，使器件在未加栅压下处于关断状态，实现增强型的目的。

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