上海积塔半导体有限公司高玉珠获国家专利权
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龙图腾网获悉上海积塔半导体有限公司申请的专利测试器件结构单元、并行测试器件结构及晶圆获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115166461B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-03发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210768814.4，技术领域涉及：G01R31/26；该发明授权测试器件结构单元、并行测试器件结构及晶圆是由高玉珠;宋永梁设计研发完成，并于2022-06-30向国家知识产权局提交的专利申请。
本测试器件结构单元、并行测试器件结构及晶圆在说明书摘要公布了：本发明提供了一种测试器件结构单元、并行测试器件结构及晶圆。使用传统MOS器件测试结构进行晶圆电学性能测试时，例如HCI或NBTI测试，MOS器件的各级需要与4个SMU，测试效率低。测试过程中使用本发明提供的测试器件结构单元，待测MOS器件的栅极和漏极分别连接一个SMU，源极和基极接地，通过将测试过程中连接MOS器件的SMU数量减少至两个，在不增加测试成本的前提下，不仅能够有效防止多器件同时测试时的相互干扰，保证测量的准确性，还能将多余的SMU连接其他待测MOS器件，实现多个MOS器件的并行测试，提高测试效率。
本发明授权测试器件结构单元、并行测试器件结构及晶圆在权利要求书中公布了：1.一种测试器件结构单元，用于晶圆测试，其特征在于，所述测试器件结构单元包括以光刻法图案化在晶圆上MOS晶体管，所述MOS晶体管漏极和源极之间设置有以光刻法图案化的电容，当进行晶圆测试时，所述MOS晶体管的栅极和漏极分别电连接第一电源测量单元和第二电源测量单元，所述MOS晶体管的源极和基极接地； 所述测试器件结构单元设置在所述晶圆的划片槽中。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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