中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司金吉松获国家专利权
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龙图腾网获悉中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司申请的专利半导体结构及其形成方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115188811B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-03发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110373963.6，技术领域涉及：H10D64/27；该发明授权半导体结构及其形成方法是由金吉松;亚伯拉罕·庾设计研发完成，并于2021-04-07向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体结构及其形成方法在说明书摘要公布了：一种半导体结构及其形成方法，半导体结构包括：衬底和凸立于子器件区的衬底上的凸起部；沟道结构层，位于凸起部上与凸起部间隔设置，包括一个或多个间隔设置的沟道层；介电墙，沿纵向位于相邻子器件区之间的衬底上，介电墙包括凸立衬底上的介电墙主部及沿纵向凸出介电墙主部的介电墙凸出部，介电墙凸出部与沟道层侧壁相接触；栅极结构，位于各个子器件区上，横跨沟道结构层的顶部且包围介电墙露出的沟道层；源漏掺杂层，位于栅极结构两侧凸起部上且与沟道结构层相接触。本发明实施例减小介电墙对源漏掺杂层向沟道层施加应力的影响，优化半导体结构的性能。
本发明授权半导体结构及其形成方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构，其特征在于，包括： 衬底，包括分立的器件单元区，所述器件单元区包括多个沿纵向排列的子器件区； 凸起部，凸立于所述子器件区的衬底上，所述凸起部沿横向延伸； 沟道结构层，位于所述凸起部上且与所述凸起部间隔设置，所述沟道结构层包括一个或多个自下而上依次间隔设置的沟道层； 介电墙，沿所述纵向位于相邻的子器件区之间的衬底上，所述介电墙包括凸立于衬底上的介电墙主部以及沿纵向凸出于所述介电墙主部的介电墙凸出部，所述介电墙凸出部与所述沟道层的侧壁相接触；所述介电墙主部与介电墙凸出部为一体型结构； 栅极结构，位于各个子器件区上，横跨所述子器件区的沟道结构层的顶部且包围所述介电墙露出的沟道层； 源漏掺杂层，位于所述栅极结构两侧的凸起部上且与所述沟道结构层相接触。
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