广州司南技术有限公司李梓萌获国家专利权
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龙图腾网获悉广州司南技术有限公司申请的专利强耦合带状线和含有强耦合带状线的微波元件获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115207591B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-03发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210794218.3，技术领域涉及：H01P5/18；该发明授权强耦合带状线和含有强耦合带状线的微波元件是由李梓萌;斯莱德科夫·亚历山大德维奇·维克多;奥斯塔朋科·亚历山大设计研发完成，并于2022-07-07向国家知识产权局提交的专利申请。
本强耦合带状线和含有强耦合带状线的微波元件在说明书摘要公布了：本发明提供了两条耦合带状线，包括：设置在介电基板顶面上的第一带状导体和设置在介电基板底面上的第二带状导体，位于覆盖介电基板底面的导电层的开口处，所述导电层与所述第二带状导体隔开一间隙，其中，第一带状导体的至少一部分设置在第二带状导体的一部分之上；至少一个附加导体，其设置在介电基板的顶面上，与第一带状导体隔开一间隙，并通过在介电基板的金属镀孔连接到所述导电层。本发明提供的新型的强耦合带状线适用于制造非常简单的仅包含印刷电路板的微波元件，克服了已知耦合带状线的不足，并提供通过传统印刷电路板技术，在单个介电基板的两个表面上形成的强耦合带状线。
本发明授权强耦合带状线和含有强耦合带状线的微波元件在权利要求书中公布了：1.两条耦合带状线，包括： 设置在介电基板顶面上的第一带状导体和设置在介电基板底面上的第二带状导体，所述第二带状导体位于覆盖介电基板底面的导电层的开口处，所述导电层与所述第二带状导体隔开一间隙，其中，第一带状导体的至少一部分设置在第二带状导体的一部分之上； 至少一个附加导体，其设置在介电基板的顶面上，与第一带状导体隔开一间隙，并通过在介电基板的金属镀孔连接到所述导电层； 所述导电层和两个附加导体包含切口，所述切口在与第一带状导体和第二带状导体的边缘隔开一间隙的边缘中，所述切口形成周期性结构，所述切口形成的周期性结构能够增加偶模的延迟，并允许偶模和奇模的电长度相等。
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