电子科技大学;华润微电子(重庆)有限公司任敏获国家专利权
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龙图腾网获悉电子科技大学;华润微电子(重庆)有限公司申请的专利平衡超结MOSFET漏源电容的SPICE宏模型建立方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115270665B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-03发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210496334.7，技术领域涉及：G06F30/30；该发明授权平衡超结MOSFET漏源电容的SPICE宏模型建立方法是由任敏;雷清滢;李东野;马荣耀;唐开锋;张波设计研发完成，并于2022-05-09向国家知识产权局提交的专利申请。
本平衡超结MOSFET漏源电容的SPICE宏模型建立方法在说明书摘要公布了：本发明公开一种平衡超结MOSFET漏源电容的SPICE宏模型建立方法，应用于电子元器件建模领域，解决现有超结MOSFET寄生电容建模方案中拟合难度高、精度差的问题，本发明首先测试获得超结MOSFET寄生电容随漏源电压变化的数据；然后基于器件耗尽机理建立漏源电容的等效电路拓扑；进而由电容测试数据反向提取元胞工艺参数，搭建漏源电容的数学描述，并基于数学软件完成系数拟合，确定宏模型电路参数；最后进行SPICE模型的编写和封装，最终获得可在超结MOSFETSPICE模型中调用的漏源电容宏模型模块。该建立方法以超结MOSFET的物理机理为基础，可实现半对数坐标下全电压范围内漏源电容的高精度拟合，可广泛应用于电荷平衡的常规超结MOSFET产品。
本发明授权平衡超结MOSFET漏源电容的SPICE宏模型建立方法在权利要求书中公布了：1.一种平衡超结MOSFET漏源电容的SPICE宏模型建立方法，其特征在于包括如下步骤： S1、通过电容测试仪分别获得平衡超结MOSFET输入电容、输出电容及米勒电容随漏源电压变化的数据； S2、根据平衡超结MOSFET器件的基本结构和漂移区随漏源电压的耗尽规律，建立平衡超结MOSFET漏源电容的等效电路拓扑； S3、根据测试电容数据，反向提取平衡超结MOSFET结构及工艺参数，确定零偏电容值，并基于数学软件将电容数据按电压大小分为三段并分别拟合出最佳系数，由此确定平衡超结MOSFET漏源电容的SPICE宏模型等效电路参数； S4、基于等效电路参数及等效电路拓扑编写相应的SPICE模型，获得最终可直接在平衡超结MOSFETSPICE模型中调用的漏源电容SPICE宏模型模块。
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