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龙图腾网获悉诺瓦尔德股份有限公司申请的专利有机发光二极管和包括其的装置获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115413374B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-03发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202180022000.X，技术领域涉及：H10K50/16；该发明授权有机发光二极管和包括其的装置是由安斯加尔·维尔纳;杰罗姆·加尼耶;多玛果伊·帕维奇科;埃莱娜·嘉兰加西亚;乌尔里希·登克尔设计研发完成，并于2021-06-14向国家知识产权局提交的专利申请。

本有机发光二极管和包括其的装置在说明书摘要公布了：本发明涉及一种有机发光二极管，其包括阳极、阴极、第一发光层、第二发光层、第一电荷产生层和第一电子传输层叠层；以及一种包括所述有机发光二极管的显示装置或照明装置。

本发明授权有机发光二极管和包括其的装置在权利要求书中公布了：1.一种有机发光二极管，所述有机发光二极管包括阳极、阴极、第一发光层、第二发光层、第一电荷产生层和第一电子传输层叠层；其中 -所述第一电荷产生层布置在所述第一发光层与所述第二发光层之间； -所述第一电子传输层叠层布置在所述第一发光层与所述第二发光层之间； -所述第一电子传输层叠层包括第一电子传输层和第二电子传输层； -所述第一电子传输层包含式I的化合物 Ar1-Aca-XbI； -a和b独立地为1或2； -c独立地为0或1； -Ar1独立地选自C6至C60芳基或C2至C42杂芳基， -其中每个Ar1可被一个或两个独立地选自以下的取代基取代：C6至C12芳基、C3至C11杂芳基、和C1至C6烷基、D、C1至C6烷氧基、C3至C6支链烷基、C3至C6环状烷基、C3至C6支链烷氧基、C3至C6环状烷氧基、部分或全氟化的C1至C6烷基、部分或全氟化的C1至C6烷氧基、部分或全氘化的C1至C6烷基、部分或全氘化的C1至C6烷氧基、卤素、CN或PYR102，其中Y选自O、S或Se，并且R10独立地选自C6至C12芳基、C3至C12杂芳基、C1至C6烷基、C1至C6烷氧基、部分或全氟化的C1至C6烷基、部分或全氟化的C1至C6烷氧基、部分或全氘化的C1至C6烷基、部分或全氘化的C1至C6烷氧基； -其中Ar1上的每个C6至C12芳基取代基和Ar1上的每个C3至C11杂芳基取代基可被C1至C4烷基或卤素取代； -A独立地选自C6至C30芳基， -其中每个A可被一个或两个独立地选自以下的取代基取代：C6至C12芳基和C1至C6烷基、D、C1至C6烷氧基、C3至C6支链烷基、C3至C6环状烷基、C3至C6支链烷氧基、C3至C6环状烷氧基、部分或全氟化的C1至C6烷基、部分或全氟化的C1至C6烷氧基、部分或全氘化的C1至C6烷基、部分或全氘化的C1至C6烷氧基、卤素、CN或PYR102，其中Y选自O、S或Se，并且R10独立地选自C6至C12芳基、C3至C12杂芳基、C1至C6烷基、C1至C6烷氧基、部分或全氟化的C1至C6烷基、部分或全氟化的C1至C6烷氧基、部分或全氘化的C1至C6烷基、部分或全氘化的C1至C6烷氧基； -其中A上的每个C6至C12芳基取代基可被C1至C4烷基或卤素取代； -X独立地选自C2至C42杂芳基和C6至C60芳基， -其中每个X可被一个或两个独立地选自以下的取代基取代：C6至C12芳基、C3至C11杂芳基、和C1至C6烷基、D、C1至C6烷氧基、C3至C6支链烷基、C3至C6环状烷基、C3至C6支链烷氧基、C3至C6环状烷氧基、部分或全氟化的C1至C6烷基、部分或全氟化的C1至C6烷氧基、部分或全氘化的C1至C6烷基、部分或全氘化的C1至C6烷氧基、卤素、CN或PYR102，其中Y选自O、S或Se，并且R10独立地选自C6至C12芳基、C3至C12杂芳基、C1至C6烷基、C1至C6烷氧基、部分或全氟化的C1至C6烷基、部分或全氟化的C1至C6烷氧基、部分或全氘化的C1至C6烷基、部分或全氘化的C1至C6烷氧基； -其中X上的每个C6至C12芳基取代基和X上的每个C3至C11杂芳基取代基可被C1至C4烷基或卤素取代； -所述式I的化合物的分子偶极矩为≥0D且≤4D； -所述第二电子传输层包含式II的化合物 Ar2m-Zk-GnII； -m和n独立地为1或2； -k独立地为0、1或2； -Ar2独立地选自C2至C42杂芳基和C6至C60芳基， -其中每个Ar2可被一个或两个独立地选自以下的取代基取代：C6至C12芳基、C3至C11杂芳基、和C1至C6烷基、D、C1至C6烷氧基、C3至C6支链烷基、C3至C6环状烷基、C3至C6支链烷氧基、C3至C6环状烷氧基、部分或全氟化的C1至C6烷基、部分或全氟化的C1至C6烷氧基、部分或全氘化的C1至C6烷基、部分或全氘化的C1至C6烷氧基、卤素、CN或PYR102，其中Y选自O、S或Se，并且R10独立地选自C6至C12芳基、C3至C12杂芳基、C1至C6烷基、C1至C6烷氧基、部分或全氟化的C1至C6烷基、部分或全氟化的C1至C6烷氧基、部分或全氘化的C1至C6烷基、部分或全氘化的C1至C6烷氧基； -其中Ar2上的每个C6至C12芳基取代基和Ar2上的每个C3至C11杂芳基取代基可被C1至C4烷基或卤素取代； -Z独立地选自C6至C30芳基， -其中每个Z可被一个或两个独立地选自以下的取代基取代：C6至C12芳基和C1至C6烷基、D、C1至C6烷氧基、C3至C6支链烷基、C3至C6环状烷基、C3至C6支链烷氧基、C3至C6环状烷氧基、部分或全氟化的C1至C6烷基、部分或全氟化的C1至C6烷氧基、部分或全氘化的C1至C6烷基、部分或全氘化的C1至C6烷氧基、卤素、CN或PYR102，其中Y选自O、S或Se，并且R10独立地选自C6至C12芳基、C3至C12杂芳基、C1至C6烷基、C1至C6烷氧基、部分或全氟化的C1至C6烷基、部分或全氟化的C1至C6烷氧基、部分或全氘化的C1至C6烷基、部分或全氘化的C1至C6烷氧基； -其中Z上的每个C6至C12芳基取代基可被C1至C4烷基或卤素取代； -选择G以使得化合物G-苯基的偶极矩为≥1D且≤7D；并且 -所述第一电子传输层和所述第二电子传输层不含电掺杂剂； 其中排除式II的化合物是下式的化合物：

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