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龙图腾网获悉瑞砻科技股份有限公司申请的专利III族氮化物半导体元件的欧姆接触的制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115440591B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-03发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210049485.8，技术领域涉及：H10D30/01；该发明授权III族氮化物半导体元件的欧姆接触的制造方法是由何焱腾;陈乃榕设计研发完成，并于2022-01-17向国家知识产权局提交的专利申请。

本III族氮化物半导体元件的欧姆接触的制造方法在说明书摘要公布了：本发明提供一种III族氮化物半导体元件的接触电阻的欧姆接触的制作方法。主要是使用氟化物气体等离子体进行蚀刻与表面处理，并进行退火处理以实现超低接触电阻的欧姆接触。此制造方法不会造成半导体通道表面损伤，整体制程相对简单，且制造出的III族氮化物半导体元件的可靠度佳，可应用于三族氮化物晶体管与二极管。

本发明授权III族氮化物半导体元件的欧姆接触的制造方法在权利要求书中公布了：1.一种III族氮化物半导体元件的欧姆接触的制造方法，包括： 提供未形成一源极12及一漏极13的一III族氮化物半导体结构11'； 于该III族氮化物半导体结构11的一阻障层115上形成一保护层14'； 在该保护层14'形成具有图案的一遮罩层17，以定义出该源极12及该漏极13的位置； 使用氟化物气体等离子体对该III族氮化物半导体结构11'的该保护层14'进行蚀刻处理，其中该保护层14'对应于该源极12与该漏极13的位置处的部分至少被蚀刻至该阻障层115的表面； 使用该氟化物气体等离子体对该III族氮化物半导体结构11裸露的该阻障层115进行表面处理； 移除该遮罩层17，并进行一退火处理，该退火处理的温度为摄氏450度至650度之间，该退火处理的总时间在30至240秒之间； 在该退火处理后，于该源极12与该漏极13的位置处植入金属，以形成该源极12与该漏极13；以及 对形成有该源极12与该漏极13的III族氮化物半导体结构11进行一快速退火处理，其中该快速退火处理的温度为摄氏750度至850度之间，该快速退火处理的总时间在10至60秒之间； 其中该保护层14'为SiNx层或SiO2层，且该保护层14'的厚度为5至100纳米之间，该氟化物气体等离子体为CF4、SF6或C4F8等离子体，该氟化物气体等离子体的功率为50至300瓦特之间，以及该氟化物气体等离子体的处理时间为5至300秒之间。

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