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龙图腾网获悉硅存储技术股份有限公司申请的专利存储器设备和用于基于使用频率改变编程状态间距的方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115511068B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-03发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211235292.8，技术领域涉及：G06N3/065；该发明授权存储器设备和用于基于使用频率改变编程状态间距的方法是由H·V·特兰;S·莱姆克;V·蒂瓦里;N·多;M·雷顿设计研发完成，并于2019-08-29向国家知识产权局提交的专利申请。

本存储器设备和用于基于使用频率改变编程状态间距的方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种存储器设备，该存储器设备包括多个存储器单元和控制器。该控制器被配置为将存储器单元中的每个存储器单元编程为多个编程状态中的一个编程状态，以及使用到存储器单元的施加电压的读取操作来读取存储器单元。在读取操作期间，编程状态中的相邻编程状态之间的间距基于多个存储器单元中的编程状态的使用频率而改变。

本发明授权存储器设备和用于基于使用频率改变编程状态间距的方法在权利要求书中公布了：1.一种神经网络设备，包括： 第一多个突触，所述第一多个突触被配置为接收第一多个输入并从其生成第一多个输出，其中所述第一多个突触包括： 多个第一存储器单元； 控制器，所述控制器被配置为： 将所述第一存储器单元中的每个第一存储器单元编程为多个第一编程状态中的一个第一编程状态，以及 使用到所述第一存储器单元的施加电压的第一读取操作来读取所述第一存储器单元， 所述多个第一存储器单元被配置为基于所述第一多个输入和所述多个第一编程状态来生成所述第一多个输出；和 第一多个神经元，所述第一多个神经元被配置为接收所述第一多个输出； 第二多个突触，所述第二多个突触被配置为从所述第一多个神经元接收第二多个输入并从其生成第二多个输出，其中所述第二多个突触包括： 多个第二存储器单元； 所述控制器被配置为： 将所述第二存储器单元中的每个第二存储器单元编程为多个第二编程状态中的一个第二编程状态，使用到所述第二存储器单元的第二施加电压的第二读取操作来读取所述第二存储器单元， 所述多个第二存储器单元被配置为基于所述第二多个输入和所述多个第二编程状态来生成所述第二多个输出；和 第二多个神经元，所述第二多个神经元被配置为接收所述第二多个输出； 其中以下项中的至少一者： 所述多个第一编程状态的总数不同于所述多个第二编程状态的总数， 所述第一存储器单元是易失性的并且所述第二存储器单元是非易失性的，或者所述第一存储器单元是非易失性的并且所述第二存储器单元是易失性的，或者所述第一存储器单元和所述第二存储器单元是非易失性的， 所述控制器被配置为： 执行在所述第一存储器单元的阈值以上的所述第一读取操作和在所述第二存储器单元的阈值以下的所述第二读取操作，或者 执行在所述第一存储器单元的阈值以下的所述第一读取操作和在所述第二存储器单元的阈值以上的所述第二读取操作，或者 执行在所述第一存储器单元和所述第二存储器单元的阈值以上的所述第一读取操作和所述第二读取操作，或者 执行在所述第一存储器单元和所述第二存储器单元的阈值以下的所述第一读取操作和所述第二读取操作。

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