上海理想万里晖薄膜设备有限公司欧阳亮获国家专利权
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龙图腾网获悉上海理想万里晖薄膜设备有限公司申请的专利硅片载具以及PECVD反应腔获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115537782B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-03发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211235658.1，技术领域涉及：C23C16/458；该发明授权硅片载具以及PECVD反应腔是由欧阳亮设计研发完成，并于2022-10-10向国家知识产权局提交的专利申请。
本硅片载具以及PECVD反应腔在说明书摘要公布了：本发明提供硅片载具以及PECVD反应腔。所述硅片载具包括绝缘框架以及嵌套在所述绝缘框架之外的电极框架，所述绝缘框架包括相对的第一绝缘壁以及第二绝缘壁，所述第一绝缘壁以及第二绝缘壁上还对应交叉设置有用于承载硅片的第一电极以及第二电极，所述第一电极从所述第一绝缘壁向外伸出与所述电极框架一侧的第一汇流排连接，所述第二电极从所述第二绝缘壁向外伸出与第二汇流排连接，所述第二汇流排与所述电极框架绝缘并且设置在所述电极框架以及绝缘框架之间。本发明的硅片载具既能在PECVD反应腔腔外载送硅片减少硅片花篮的使用，又能在腔内进行等离子体放电，还能使反应腔中能同时容纳更多的硅片，从而提高PECVD工艺的产能。
本发明授权硅片载具以及PECVD反应腔在权利要求书中公布了：1.一种硅片载具，其特征在于，其包括绝缘框架以及嵌套在所述绝缘框架之外的电极框架，所述绝缘框架包括相对的第一绝缘壁以及第二绝缘壁，所述第一绝缘壁以及第二绝缘壁上还对应交叉设置有用于承载硅片的第一电极以及第二电极，所述第一电极从所述第一绝缘壁向外伸出与所述电极框架一侧的第一汇流排连接，所述第二电极从所述第二绝缘壁向外伸出与第二汇流排连接，所述第二汇流排与所述电极框架绝缘并且设置在所述电极框架以及绝缘框架之间。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人上海理想万里晖薄膜设备有限公司，其通讯地址为：201306 上海市浦东新区中国(上海)自由贸易试验区临港新片区江山路2699弄3号厂房；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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