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龙图腾网获悉三一硅能(株洲)有限公司申请的专利一种基于光伏电池的变温扩散工艺获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115642201B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-03发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211242692.1，技术领域涉及：H10F71/00；该发明授权一种基于光伏电池的变温扩散工艺是由请求不公布姓名;请求不公布姓名;请求不公布姓名设计研发完成，并于2022-10-11向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种基于光伏电池的变温扩散工艺在说明书摘要公布了：本发明涉及光伏电池领域，尤其涉及一种基于光伏电池的变温扩散工艺。具体的，其包括如下步骤：1在760～790摄氏度下对完成遂穿氧化层和本征非晶硅的硅片进行低温沉积；2将温度提高30～40摄氏度，进行低温推进；3将温度提高60～70摄氏度，进行高温沉积；4维持步骤3的温度，进行高温推进；5将温度降低20～50摄氏度，进行中温沉积；6将温度降低80～100摄氏度，进行低温沉积。本发明通过梯度升温扩散、推进以及梯度降温扩散的方式，降低穿透隧穿氧化层的磷元素的量，同时提高掺杂多晶硅中磷的浓度。

本发明授权一种基于光伏电池的变温扩散工艺在权利要求书中公布了：1.一种基于光伏电池的变温扩散工艺，其特征在于，包括如下步骤： 1在760～790摄氏度下对完成遂穿氧化层和本征非晶硅的硅片进行低温沉积； 2将温度提高30～40摄氏度，进行低温推进； 3将温度提高60～70摄氏度，进行高温沉积； 4维持步骤3的温度，进行高温推进； 5将温度降低20～50摄氏度，进行中温沉积； 6将温度降低80～100摄氏度，进行低温沉积； 所述步骤1、3、5、6在通入小氮气体、氧气和大氮气体的条件下进行；所述步骤2、4在仅通入大氮气体的条件下进行； 在所述步骤1、3中，小氮气体流量为800～1800标准毫升分钟，氧气流量为300～800标准毫升分钟，大氮气体流量为500～1000标准毫升分钟； 所述步骤2、4中，大氮气体流量为1000～2000标准毫升分钟； 所述步骤5中，小氮气体流量为800～1800标准毫升分钟，氧气流量为300～1200标准毫升分钟，大氮气体流量为400～1000标准毫升分钟； 所述步骤6中，小氮气体流量为600～1800标准毫升分钟，氧气流量为500～3000标准毫升分钟，大氮气体流量为600～2000标准毫升分钟。

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