株式会社国际电气天野富大获国家专利权
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龙图腾网获悉株式会社国际电气申请的专利半导体器件的制造方法、衬底处理装置及记录介质获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115725961B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-03发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111623269.1，技术领域涉及：C23C16/54；该发明授权半导体器件的制造方法、衬底处理装置及记录介质是由天野富大设计研发完成，并于2021-12-28向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体器件的制造方法、衬底处理装置及记录介质在说明书摘要公布了：本发明涉及半导体器件的制造方法、衬底处理装置及记录介质。缩短停机时间，以提高装置的运转率。包括：处理气体供给工序，在将衬底支承于衬底支承部的状态下，将衬底加热至第一温度，并且向内置有衬底支承部的处理容器内供给处理气体；降温工序，在处理气体供给工序之后，向处理容器中具备的制冷剂流路以规定时间供给非活性气体或者空气，由此，使处理容器中具备的、若在第一温度的状态下供给清洁气体则将产生不良情况的低温部降温至比第一温度低的第二温度；和，清洁工序，在降温工程之后，向处理容器内供给清洁气体，对低温部进行清洁。
本发明授权半导体器件的制造方法、衬底处理装置及记录介质在权利要求书中公布了：1.半导体器件的制造方法，其包括： 处理气体供给工序，在将衬底支承于衬底支承部的状态下，加热部将所述衬底加热至第一温度，并且向内置有所述衬底支承部的处理容器内供给处理气体； 降温工序，在所述处理气体供给工序之后，向所述处理容器中具备的、内侧具有所述加热部的制冷剂流路以规定时间供给非活性气体或者空气，由此，使所述处理容器中具备的、若在所述第一温度的状态下供给清洁气体则将产生不良情况的低温部降温至比所述第一温度低的第二温度； 清洁工序，在所述降温工序之后，向所述处理容器内供给清洁气体，对所述低温部进行清洁；和 升温工序，在所述清洁工序之后，在所述衬底未被支承于所述衬底支承部的状态下，使所述处理容器内升温， 在所述处理气体供给工序、所述升温工序中的至少任一工序中，在一边使所述加热部运转一边停止向所述制冷剂流路供给非活性气体或者空气、并使连通于所述制冷剂流路的真空泵运转的状态下将所述制冷剂流路抽真空，使所述制冷剂流路成为真空隔热状态，以避免处理容器内的热被排出到处理容器外。
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