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龙图腾网获悉电子科技大学长三角研究院(湖州)申请的专利一种用于纳米工艺的电流源注入模型的建立方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115730539B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-03发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211554037.X，技术领域涉及：G06F30/30；该发明授权一种用于纳米工艺的电流源注入模型的建立方法是由李磊设计研发完成，并于2022-12-06向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种用于纳米工艺的电流源注入模型的建立方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种用于纳米工艺的电流源注入模型的建立方法，首先确定待评估的晶体管的具体参数，再基于所选纳米工艺在3DTCAD工具中对待评估的晶体管进行建模，通过3DTCAD仿真得到晶体管的等效饱和电压和阈值电压，通过3DTCAD仿真确定晶体管的等效有效收集长度和收集深度，确定待评估的离子类型，及其对应的线性传输能量，设定待评估的注入距离，最终得到相应的离子注入的电流源注入模型。本发明的电流源模型的建立方法基于扩散理论和晶体管原理，结合纳米工艺特点，通过晶体管有效收集长度和晶体管的等效饱和电压等解决解决纳米工艺下器件电荷收集能力有限的问题，从而建立了一种新型的面向纳米工艺的电流源注入模型。

本发明授权一种用于纳米工艺的电流源注入模型的建立方法在权利要求书中公布了：1.一种用于纳米工艺的电流源注入模型的建立方法，具体步骤如下： S1、确定待评估的晶体管的具体参数； 待评估的晶体管的具体参数，包括：晶体管的宽度W、长度L和晶体管单位面积的栅电容COX； S2、基于所选纳米工艺在3DTCAD工具中对待评估的晶体管进行建模； S3、通过3DTCAD仿真得到晶体管的等效饱和电压VDDSta和阈值电压VT； S4、通过3DTCAD仿真确定晶体管的等效有效收集长度Lceff和收集深度ddep； S5、确定待评估的离子类型，及其对应的线性传输能量LET； S6、设定待评估的注入距离d； S7、基于步骤S1-S6，得到相应的离子注入的电流源注入模型； 所述步骤S7中，具体如下： 基于晶体管原理理论，定义晶体管的收集电荷饱和电流为： 其中，μ表示载流子迁移率； 离子注入扩散引入的大收集电流为： 其中，LET表示注入离子的线性传输能量，Dn,p表示载流子的扩散率，Dn表示电子的扩散率，Dp表示空穴的扩散率，t为时间变量； 令ILCt＝IDBsat，得到两个相应的时间变量t1和t2，且t1≤t2； 则上述离子注入的电流源注入模型具体表达式为： 其中，exp[]为指数函数，u[]为阶跃函数。

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