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龙图腾网获悉四川和芯微电子股份有限公司申请的专利超低功耗带隙基准启动电路获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115756061B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-03发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211500912.6，技术领域涉及：G05F1/56；该发明授权超低功耗带隙基准启动电路是由李晓宇;郭向阳设计研发完成，并于2022-11-28向国家知识产权局提交的专利申请。

本超低功耗带隙基准启动电路在说明书摘要公布了：本发明公开了一种超低功耗带隙基准启动电路，其，包括分别与电源电压连接的电流产生单元、第一偏置电压产生单元及第二偏置电压产生单元；所述电流产生单元用以产生nA级电流并产生所述第一偏置电压产生单元的启动电压，所述第一偏置电压产生单元根据所述电流产生单元提供的启动电压启动并生成第一偏置电压，将所述第一偏置电压输出至第二偏置电压产生单元；所述第二偏置电压产生单元以所述第一偏置电压作为启动电压启动并产生第二偏置电压；所述第一偏置电压与所述第二偏置电压均输出至带隙基准电路以启动所述带隙基准电路。本发明的超低功耗带隙基准启动电路能正常启动nA级的带隙基准电路，且启动电路的工作电流也为nA级，降低了功耗，节省了成本。

本发明授权超低功耗带隙基准启动电路在权利要求书中公布了：1.一种超低功耗带隙基准启动电路，其特征在于，包括分别与电源电压连接的电流产生单元及第一偏置电压产生单元；所述电流产生单元用以产生nA级电流并产生所述第一偏置电压产生单元的启动电压，所述第一偏置电压产生单元根据所述电流产生单元提供的启动电压启动并生成第一偏置电压，将所述第一偏置电压输出至带隙基准电路以启动所述带隙基准电路；其中，所述第一偏置电压产生单元包括第三MOS管及一电容，所述第三MOS管的漏极与电源电压连接，其栅极与所述电流产生单元连接，其源极与带隙基准电路的一输入端连接，所述电容一端与所述第三MOS管的源极连接，另一端接地；还包括第二偏置电压产生单元，所述第二偏置电压产生单元分别与电源电压、第一偏置电压产生单元及带隙基准电路的一输入端连接，所述第三MOS管的源极与所述第二偏置电压产生单元连接，以将所述第一偏置电压输入至所述第二偏置电压产生单元，所述第二偏置电压产生单元以所述第一偏置电压作为启动电压启动并产生第二偏置电压，并将所述第二偏置电压输出至带隙基准电路。

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