利亚德光电股份有限公司杨晓宇获国家专利权
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龙图腾网获悉利亚德光电股份有限公司申请的专利钙钛矿图案化薄膜、其制备方法及应用获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN115802857B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-03发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202211676100.7,技术领域涉及:H10K71/12;该发明授权钙钛矿图案化薄膜、其制备方法及应用是由杨晓宇;马莉;卢长军设计研发完成,并于2022-12-26向国家知识产权局提交的专利申请。
本钙钛矿图案化薄膜、其制备方法及应用在说明书摘要公布了:本发明提供了一种钙钛矿图案化薄膜、其制备方法及应用。该制备方法包括:在基底上涂覆PbX2前驱体并退火得到PbX2薄膜基底;在具备图案的纳米印章上涂覆AY盐并退火得到AY薄膜纳米印章;进行纳米压印,得到APbX,Y3钙钛矿图案化薄膜;其中,X和Y分别独立地为I、Br和Cl的一种或多种,AY盐包括胺类盐和或Cs基盐。本发明通过接触压印和离子扩散相结合的方式,在PbX2基底上精准构筑钙钛矿图案,得到PbX2钙钛矿PbX2共平面的表面平滑薄膜,其中钙钛矿图案作为活性区域,而其余PbX2则自然作为宽带隙绝缘惰性隔绝材料,薄膜的残留率低,良率大大提高。
本发明授权钙钛矿图案化薄膜、其制备方法及应用在权利要求书中公布了:1.一种钙钛矿图案化薄膜的制备方法,其特征在于,包括以下步骤: 步骤S1,在基底上涂覆PbX2前驱体,并进行第一退火,得到PbX2薄膜基底; 步骤S2,在具备图案的纳米印章上涂覆AY盐,并进行第二退火,得到AY薄膜纳米印章; 步骤S3,通过所述AY薄膜纳米印章将所述PbX2薄膜基底进行纳米压印,然后进行第三退火,得到APbX,Y3钙钛矿图案化薄膜; 其中,X和Y分别独立地为I、Br和Cl的一种或多种,所述AY盐包括胺类盐和或Cs基盐;所述纳米压印的施加压力为0.5~2MPa,施压时间为0.5~2min;所述第三退火的温度为80~120℃,时间为3~7min。
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