江苏大学曹大威获国家专利权
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龙图腾网获悉江苏大学申请的专利一种铁电异质结阻变存储器的制备方法及其应用获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116075210B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-03发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310067765.6，技术领域涉及：H10N70/20；该发明授权一种铁电异质结阻变存储器的制备方法及其应用是由曹大威;秦谱;谢玉芳;杨莹设计研发完成，并于2023-01-19向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种铁电异质结阻变存储器的制备方法及其应用在说明书摘要公布了：本发明属于微电子器件技术领域，涉及一种铁电异质结基阻变存储器的制备方法，包括：依次以无水乙醇、氢氟酸对Si片进行清洗；将清洗好的Si片放入原子层沉积系统的真空仓内，循环沉积Al2O3和HfO2层，循环比例为Al2O3:HfO2＝1:19，厚度10～20nm；无氧环境中快速热退火；在铁电层上覆盖带有0.01mm2小孔的掩膜板，对已经形成铁电相的掺Al的HfO2薄膜的表面射频磁控溅射沉积MoS2层；不移动掩膜板，继续在MoS2层表面直流磁控溅射沉积Au电极。本发明将所制得的铁电异质结阻变存储器，应用于电子设备。基于HfO2基铁电材料，利用其与CMOS工艺兼容的优势，将基底n‑Si作为底电极，使得器件更加微型化。利用磁控溅射制备的MoS2层，提高器件的开关比，而且更符合工业大批量生产的要求。
本发明授权一种铁电异质结阻变存储器的制备方法及其应用在权利要求书中公布了：1.一种铁电异质结阻变存储器的制备方法，其特征在于，包括如下步骤： S1.依次以无水乙醇、氢氟酸对Si片进行清洗，使表面无污染，干燥； S2.将清洗好的Si片放入原子层沉积系统的真空仓内，循环沉积Al2O3和HfO2层，循环比例为Al2O3:HfO2＝1:19，厚度10～20nm； S3.无氧环境中快速热退火，使其完成掺杂并且激发铁电相的形成； S4.在铁电层上覆盖带有0.01mm2小孔的掩膜板，对已经形成铁电相的掺Al的HfO2薄膜的表面射频磁控溅射沉积MoS2层，使MoS2与掺Al的HfO2形成异质结； S5.不移动掩膜板，继续在MoS2层表面直流磁控溅射沉积Au层。
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