昕原半导体(上海)有限公司;昕原半导体(杭州)有限公司;昕原半导体(深圳)有限公司刘业帆获国家专利权
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龙图腾网获悉昕原半导体(上海)有限公司;昕原半导体(杭州)有限公司;昕原半导体(深圳)有限公司申请的专利电阻式随机存取存储元件、存储器件及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116157003B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-03发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310207630.5，技术领域涉及：H10N70/20；该发明授权电阻式随机存取存储元件、存储器件及其制备方法是由刘业帆;张冠群;周烽;陈亮设计研发完成，并于2023-03-06向国家知识产权局提交的专利申请。
本电阻式随机存取存储元件、存储器件及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明提供一种电阻式随机存取存储元件、存储器件及其制备方法，存储元件包括依次排布的第一电极、阻变存储层和第二电极；所述第二电极的材料为MNx，所述阻变存储层的材料为MOy，其中，M选自于Ti、Ta和Al中的一种。本发明将第二电极的金属原子和阻变存储层的金属原子设置为相同的金属元子，同时和构成的导电通道具有相同的金属原子，可以有效避免参与构成导电通道的M金属原子过于富集，从而提高器件的寿命和耐久度，并提高器件的保持能力，进而获得更好的器件性能。本发明通过对第二电极中的N比例进行控制，可以实现第二电极具备导电性的同时，金属离子向阻变存储层中的迁移和扩散具有更高的可控性。
本发明授权电阻式随机存取存储元件、存储器件及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种电阻式随机存取存储元件，其特征在于，所述电阻式随机存取存储元件包括： 依次排布的第一电极、阻变存储层和第二电极； 所述第二电极的材料为MNx，其中，M选自于Ti、Ta和Al中的一种，0≤x≤1； 所述阻变存储层的材料为MOy，所述阻变存储层MOy中的金属原子与所述第二电极MNx中的金属原子相同，其中，M选自于Ti、Ta和Al中的一种，0≤y≤1； 所述第二电极MNx包括n个第二子电极层，n≥2，n个所述第二子电极层中的N比例x自所述阻变存储层朝远离所述阻变存储层的方向逐层减小，n个所述第二子电极层中，所述第二子电极层的厚度随其N比例x的减小而增大，且所述第二电极MNx中x的范围为0.3≤x≤1。
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