南亚科技股份有限公司丘世仰获国家专利权
买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！
龙图腾网获悉南亚科技股份有限公司申请的专利半导体结构及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116230677B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-03发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210797975.6，技术领域涉及：H10W72/20；该发明授权半导体结构及其制备方法是由丘世仰设计研发完成，并于2022-07-06向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体结构及其制备方法在说明书摘要公布了：本公开提供一种半导体结构及其制备方法。半导体结构包括一基底；一重分布层，设置在该基底上并具有一介电层、一导电栓塞以及一接合垫，该介电层设置在该基底上，该导电栓塞延伸在该介电层内，该接合垫邻近该导电栓塞且被该介电层所围绕；以及一导电凸块，设置在该导电栓塞上；其中该接合垫至少部分接触该导电栓塞与该导电凸块。再者，亦提供一种半导体结构的制备方法。
本发明授权半导体结构及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构，包括： 一基底； 一重分布层，设置在该基底上，且包括一介电层、一导电栓塞以及一接合垫，该介电层设置在该基底上，该导电栓塞延伸在该介电层内，该接合垫邻近该导电栓塞并被该介电层围绕；以及 一导电凸块，设置在该导电栓塞上； 其中该接合垫至少部分接触该导电栓塞与该导电凸块； 其中该接合垫的一第二表面的一第一部分被该导电凸块所覆盖，该第二表面的一第二部分经由该介电层而暴露且通过该导电凸块而暴露，而且该第一部分上小于该第二部分； 还包括一接合线，设置在该接合垫的第二部分上并与该接合垫接合。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人南亚科技股份有限公司，其通讯地址为：中国台湾新北市；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
以上内容由龙图腾AI智能生成。
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
开放平台
担保交易
惠及多方
会员特惠
专属平台
适合多方
数据共享
功能齐全
皖公网安备 34010402703815号
请提出您的宝贵建议，有机会获取IP积分或其他奖励