苏州浪潮智能科技有限公司张毅军获国家专利权
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龙图腾网获悉苏州浪潮智能科技有限公司申请的专利一种DDR电路的拓扑结构、仿真方法和装置获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116341475B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-03发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310090793.X，技术领域涉及：G06F30/394；该发明授权一种DDR电路的拓扑结构、仿真方法和装置是由张毅军设计研发完成，并于2023-02-09向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种DDR电路的拓扑结构、仿真方法和装置在说明书摘要公布了：本申请涉及一种DDR电路的拓扑结构、仿真方法和装置，所述结构包括主控制器、传输线、若干个颗粒负载、端接电阻和参考平面；所述参考平面的正反平面上设置有若干个导孔，所述颗粒负载安装于所述导孔中，并通过所述传输线进行连接；所述传输线的始端与所述主控制器进行连接，所述传输线的末端与所述端接电阻进行连接。本申请构建的DDR电路拓扑结构可以在不增加布局面积和布线层数的条件下，实现小空间优化DDR4地址信号质量，有利于提升DDR信号速率，从而提升产品性能。
本发明授权一种DDR电路的拓扑结构、仿真方法和装置在权利要求书中公布了：1.一种DDR电路的拓扑结构，其特征在于，所述结构包括主控制器、传输线、若干个颗粒负载、端接电阻和参考平面； 所述参考平面的正反平面上设置有若干个导孔，所述颗粒负载安装于所述导孔中，并通过所述传输线进行连接； 所述传输线的始端与所述主控制器进行连接，所述传输线的末端与所述端接电阻进行连接； 所述颗粒负载的数量与所述导孔的数量一一对应，定义位于所述参考平面正平面上的所述颗粒负载为顶层颗粒负载，位于所述参考平面反平面上的所述颗粒负载为底层颗粒负载，连接所述顶层颗粒负载的第一传输线与连接所述底层颗粒负载的第二传输线通过设置于所述参考平面一端的通孔进行连接，所述主控制器设置于所述第一传输线的始端，所述端接电阻设置于所述第二传输线的末端，所述通孔设置于所述第一传输线的末端、第二传输线的始端，所述顶层颗粒负载所对应的第一导孔选取点与所述端接电阻的选取点基于所述参考平面对称分布，其余所述顶层颗粒负载所对应的导孔选取点与所述底层颗粒负载所对应的导孔选取点一一对称分布，对称分布的两个导孔不相互贯通。
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