大连理工大学广旗一兰获国家专利权
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龙图腾网获悉大连理工大学申请的专利一种基于PtS-WS2异质结纳米复合材料的室温氨气传感器及制备工艺获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116448825B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-03发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310405072.3，技术领域涉及：G01N27/12；该发明授权一种基于PtS-WS2异质结纳米复合材料的室温氨气传感器及制备工艺是由广旗一兰;黄宝玉;吴晓芳;王楠;李晓干设计研发完成，并于2023-04-17向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种基于PtS-WS2异质结纳米复合材料的室温氨气传感器及制备工艺在说明书摘要公布了：本发明属于纳米材料技术领域，提供一种基于PtS‑WS2异质结纳米复合材料的室温氨气传感器及制备工艺。在WS2溶液中加入H2PtCl6和L‑赖氨酸。溶液中的[PtCl6]2‑和WS2结合形成[PtCl6]2‑WS2簇，引入Na3cit后，[PtCl6]2‑被还原生成PtS种子，生长在WS2上，完成PtS‑WS2异质结纳米复合材料的制备。所述的纳米复合材料是PtS纳米颗粒和WS2微米片组成的纳米复合材料。本方法工艺简单，传感器结构小巧便携，无需外加加热器，无需外加光源，节能功耗低，反应速度快，使用寿命长。所得传感器在室温下对氨气响应高，响应和恢复速度快，选择性好，可用于氨气传感器领域。
本发明授权一种基于PtS-WS2异质结纳米复合材料的室温氨气传感器及制备工艺在权利要求书中公布了：1.一种基于PtS-WS2异质结纳米复合材料的室温氨气传感器，其特征在于，该室温氨气传感器主要由气敏材料以及叉指电极板组成，所述气敏材料涂覆在所述叉指电极板表面，涂覆厚度为50～100μm；所述的气敏材料成分为PtS-WS2异质结纳米复合材料。
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