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龙图腾网获悉哈尔滨工业大学申请的专利基于双显微镜协同的光学晶体表面微缺陷修复用自动对刀方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116852559B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-03发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310611108.3，技术领域涉及：B28D5/02；该发明授权基于双显微镜协同的光学晶体表面微缺陷修复用自动对刀方法是由陈明君;侯家锟;程健;赵林杰;武文强;刘启;王景贺;刘志超;王健;许乔设计研发完成，并于2023-05-29向国家知识产权局提交的专利申请。

本基于双显微镜协同的光学晶体表面微缺陷修复用自动对刀方法在说明书摘要公布了：本发明基于双显微镜协同的光学晶体表面微缺陷修复用自动对刀方法，涉及精密光学加工技术领域，为解决现有对刀方法对加工条件要求较高，对刀精度相对较差，易受外界环境干扰，同时安全性方面不足的问题。本发明首先通过三点“试切法”确定待修复晶体表面的平面拟合方程，根据扫描显微镜获得的光学表面微缺陷的平面位置信息，计算不同待修复缺陷点至对刀表面的距离，以确定对刀进给距离，提高对刀效率的安全性；然后通过修复显微镜基于“倒影法”计算对刀过程中刀尖距离晶体待修复表面的距离；最后以扫描显微镜中出现的对刀凹坑作为对刀完成的判据。本发明的对刀方法解决了“倒影法”易因刀尖粘屑导致误判的问题，保证了对刀准确性。

本发明授权基于双显微镜协同的光学晶体表面微缺陷修复用自动对刀方法在权利要求书中公布了：1.基于双显微镜协同的光学晶体表面微缺陷修复用自动对刀方法，其特征在于，包括如下步骤： 步骤1、安装大口径KDP晶体元件，组装并调整扫描显微镜系统和修复显微镜系统，晶体修复机床系统各轴自动回零； 步骤2、通过三点“试切法”建立大口径KDP晶体待修复表面空间位置预测的平面拟合方程，基于建立的平面拟合方程考虑晶体元件的重力变形确定对刀阶段中划分精对刀阶段与粗对刀阶段的关键点，并对其进行隐藏和封装，设计面向用户的直观晶体平面标定界面； 步骤3、通过扫描显微镜获取大口径KDP晶体元件表面微缺陷平面位置信息，并将刀具移动到待修复微缺陷点位置的下方，采用修复显微镜实时采集对刀图像信息，基于“倒影法”计算刀具距离晶体对刀表面的实际距离，执行粗对刀； 步骤4、采用扫描显微镜采集晶体对刀表面的实时图像信息，对每帧图像进行数据处理，捕捉每次对刀进给前后晶体表面局部对刀区域的图像变化； 步骤5、根据步骤3估算的刀具刀尖到对刀表面实际距离，当刀具刀尖距离对刀表面的距离达到所述精对刀阶段与粗对刀阶段的关键点时，设定程序进行精对刀； 步骤6、当扫描显微镜捕捉到的对刀表面图像变化后，采用“作差取圆”的图像处理方法对采集到的对刀表面图像进行处理，以获得清晰的对刀凹坑轮廓信息； 步骤7、根据步骤6的图像处理的结果，当对刀凹坑的最小外接圆像素半径达到预设阈值时，则将之作为对刀成功的标志，并在对刀完成后添加自动退刀程序。

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