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龙图腾网获悉浙江丽水中欣晶圆半导体科技有限公司申请的专利一种晶圆平坦度控制方法、系统及储存介质获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120886171B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-03发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511304224.6，技术领域涉及：B24B37/005；该发明授权一种晶圆平坦度控制方法、系统及储存介质是由杨金锋;施海南;何晶晶设计研发完成，并于2025-09-12向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种晶圆平坦度控制方法、系统及储存介质在说明书摘要公布了：本发明提供一种晶圆平坦度控制方法、系统及储存介质，属于半导体制造技术领域，该平坦度控制方法，根据目标厚度设置偏差阈值，若厚度变化振幅小于预设厚度变化阈值，则将各个研磨区域当前厚度与目标厚度进行差值计算，作为浮动偏差，若浮动偏差为正数，则与偏差阈值进行对比，若浮动偏差大于或等于偏差阈值，则通过计算该研磨区域的研磨压力值，并进行研磨，若浮动偏差小于偏差阈值，则不用对该研磨区域进行研磨，若浮动偏差为负数，也不用对该研磨区域进行研磨，由此筛选所需研磨区域，进行研磨，不直接进行重研磨，能提高晶圆整体研磨后厚度的均匀性，能进一步降低厚度变化振幅，能提高晶圆的平坦度。

本发明授权一种晶圆平坦度控制方法、系统及储存介质在权利要求书中公布了：1.一种晶圆平坦度控制方法，其特征在于，所述方法包括： S1：获取目标晶圆各个研磨区域的当前厚度值，选择当前厚度值最大的区域为参考区域，并进行设定压力值的初步研磨； S2：重新获取目标晶圆的各个研磨区域的当前厚度值，构建当前厚度值集合，计算目标晶圆的厚度变化振幅，若厚度变化振幅大于或等于预设厚度变化阈值，则进入S3，若厚度变化振幅小于预设厚度变化阈值，则进入S4； S3：根据各个研磨区域的目标厚度值和当前厚度值计算不同研磨区域的当前厚度偏差，根据参考区域的研磨压力值、研磨厚度及各个研磨区域的当前厚度偏差计算各个研磨区域的研磨压力值； S4：根据目标厚度值设置偏差阈值，根据各个研磨区域的目标厚度值和当前厚度值计算各个研磨区域的浮动偏差，对比浮动偏差与偏差阈值，进行研磨区域的筛选，根据S3计算对应研磨区域的研磨压力值，并进行研磨； S5：对比各个研磨区域的研磨压力值，优先对最大研磨压力值的区域进行研磨； S6：重新获取目标晶圆其它研磨区域的当前厚度值，重新计算其它研磨区域的当前厚度偏差以及研磨压力值，再次回到S5，继续对其它最大研磨压力值的区域进行研磨，直至完全结束； 其中，所述S3包括： S31：将参考区域的S1中当前厚度值与S2中当前厚度值进行差值计算，得到研磨厚度，根据研磨厚度与初始研磨压力值计算得到研磨比例系数； S32：将各个研磨区域的S2中当前厚度值与目标厚度值进行差值计算，得到各个研磨区域的当前厚度偏差； S33：根据研磨比例系数和各个研磨区域的当前厚度偏差计算得到各个研磨区域的压力调节值； S34：根据参考区域的初始研磨压力值和各个研磨区域的压力调节值计算得到各个研磨区域的研磨压力值； 其中，所述S4包括： S41：根据目标厚度值设置偏差阈值； S42：若厚度变化振幅小于厚度变化阈值，则将各个研磨区域当前厚度值与目标厚度值进行差值计算，作为浮动偏差； S43：若浮动偏差为正数，则与偏差阈值进行对比，若浮动偏差大于或等于偏差阈值，则通过S3计算该研磨区域的研磨压力值，并进行研磨，若浮动偏差小于偏差阈值，则不用对该研磨区域进行研磨； S44：若浮动偏差为负数，则不用对该研磨区域进行研磨。

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