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龙图腾网获悉光本位智能科技(上海)有限公司申请的专利一种基于反向偏置锗调制器的光计算阵列获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120908941B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-03发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511121931.1，技术领域涉及：G02B6/35；该发明授权一种基于反向偏置锗调制器的光计算阵列是由程唐盛;薛乐杰;蒲华楠;李左玺设计研发完成，并于2025-04-25向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种基于反向偏置锗调制器的光计算阵列在说明书摘要公布了：本发明属于半导体光电子器件技术领域，具体涉及一种基于反向偏置锗调制器的光计算阵列，包括交叉矩阵，所述交叉矩阵由多行相互平行的输入光波导和多列相互平行的输出光波导交叉形成；且每列所述输出光波导的输出端设置有光电探测器；多个分光器；多个锗调制器，每个所述锗调制器对应于一个所述交叉波导，且所述锗调制器的第一输入端通过传输光波导与所述分光器的输出端相连；多个合光器，每个所述合光器分别与所述锗调制器的输出端和所述输出光波导相连，通过上述结构，本申请综合提供了一种具有热补偿机制的，能够降低光反射的高响应度的计算阵列，以在满足频繁切换的条件下，实现低功耗的大规模集成计算阵列的方案。

本发明授权一种基于反向偏置锗调制器的光计算阵列在权利要求书中公布了：1.一种基于反向偏置锗调制器的光计算阵列，其特征在于，包括： 交叉矩阵，所述交叉矩阵由多行相互平行的输入光波导和多列相互平行的输出光波导交叉形成； 多个分光器，所述分光器设置在每行输入光波导与每列输出光波导形成的交叉波导的前端； 多个锗调制器，每个所述锗调制器对应于一个所述交叉波导，且所述锗调制器的第一输入端通过传输光波导与所述分光器的输出端相连； 多个合光器，每个所述合光器分别与所述锗调制器的输出端和所述输出光波导相连，用于将对应交叉波导的第一光信号和所述锗调制器输出的第二光信号合并为第三光信号，并传输至同一所述输出光波导上的下一个交叉波导； 其中，所述锗调制器中光吸收层的光电特性可通过其第二输入端写入控制信号来改变，且所述锗调制器可基于所述第一输入端输入的第一光信号生成第二光信号，并发送至所述合光器；所述光电特性包括光吸收系数； 所述锗调制器包括：硅衬底以及沉积在硅衬底上的绝缘层；所述绝缘层上设置有波导层；所述波导层上嵌设有锗吸收层； 所述锗吸收层的至少一侧设置有加热单元；所述加热单元用于改变所述光吸收层的光电特性； 所述锗吸收层包括沿光传播方向依次设置的光引导区和光吸收区，其中，所述光引导区的横截面面积自入射端沿靠近所述光吸收区的方向逐渐增大；所述光吸收区的横截面面积沿光传播方向均相同； 所述加热单元设置于所述锗吸收层的顶部和或底部，所述加热单元沿所述锗吸收层长度方向延伸；或者， 所述加热单元设置于所述锗吸收层的两侧，所述加热单元沿所述锗吸收层长度方向延伸；或者， 所述锗吸收层的两侧分别设置有加热单元组，且每侧的加热单元组包括沿所述锗吸收层长度方向均匀间隔设置的多个所述加热单元，其中，位于同侧的相邻两个加热单元的加热等级分别为一级加热和二级加热； 所述锗调制器还包括： 温度监测模块，用于实时监测所述锗吸收层的实际温度值； 第一判断模块，用于判断所述温度监测模块所监测的所述实际温度值是否大于第一预设温度阈值，若所述实际温度值大于第一预设温度阈值，生成并发送表征停止加热的第一控制信号至所述加热单元或所述加热单元组；若所述实际温度值小于所述第一预设温度阈值，生成并发送表征继续监测的第二控制信号至所述温度监测模块； 或者，温度监测模块，用于实时监测经过加热等级为一级加热且处于加热状态的所述加热单元加热后，所述锗吸收层的实际温度值； 第二判断模块，用于判断经过预设时长所述温度监测模块所监测的所述实际温度值是否达到预设目标温度阈值，若未达到，生成并发送表征启动加热等级为二级加热且处于休眠状态的加热单元的第三控制信号，使得所述锗吸收层的实际温度达到预设目标温度阈值。

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