苏州立琻半导体有限公司;中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所孙秀建获国家专利权
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龙图腾网获悉苏州立琻半导体有限公司;中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所申请的专利一种AlN外延结构及半导体器件获国家实用新型专利权，本实用新型专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN223963602U 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-03发布的实用新型授权公告中获悉：该实用新型的专利申请号/专利号为：202422919395.7，技术领域涉及：C30B29/40；该实用新型一种AlN外延结构及半导体器件是由孙秀建;黄应南;孙钱;魏永强;许奇明;沈雁伟设计研发完成，并于2024-11-28向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种AlN外延结构及半导体器件在说明书摘要公布了：本实用新型公开了一种AlN外延结构及半导体器件。所述外延结构包括：AlN基础层、形成层和合并层；基础层为密实层，具有600‑750nm的厚度；形成层和合并层中内嵌有多个孔洞结构，开口于形成层中，闭合于合并层中；并且具有选定截面形状的孔洞的占比在50%以上。本实用新型所提供的技术方案通过适当的AlN基础层厚度控制减少不规则孔洞形成的机会，并调整孔洞结构的生成密度，以及通过AlN形成层生长条件的控制引导孔洞结构趋向于统一的截面形状，从而阻止孔洞结构形成不规则不统一的截面形状，避免孔洞结构合并时对准困难，减少新增位错的产生，显著提升了AlN外延层的品质。
本实用新型一种AlN外延结构及半导体器件在权利要求书中公布了：1.一种AlN外延结构，其特征在于，包括沿指定方向依次层叠设置的AlN基础层、AlN形成层和AlN合并层； 所述AlN基础层为密实层，具有600-750nm的厚度；所述AlN形成层和AlN合并层中内嵌有多个孔洞结构，沿所述指定方向，任一所述孔洞结构开口于所述AlN形成层中，闭合于所述AlN合并层中； 并且若从所述AlN形成层和AlN合并层的界面观察，具有选定截面形状的孔洞在所有所述孔洞结构中的占比在50%以上。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人苏州立琻半导体有限公司;中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所，其通讯地址为：215400 江苏省苏州市太仓市常胜北路168号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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