江苏建筑职业技术学院叶思源获国家专利权
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龙图腾网获悉江苏建筑职业技术学院申请的专利一种SiC MOSFET栅极驱动器获国家实用新型专利权，本实用新型专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN223967852U 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-03发布的实用新型授权公告中获悉：该实用新型的专利申请号/专利号为：202520551275.8，技术领域涉及：H03K17/687；该实用新型一种SiC MOSFET栅极驱动器是由叶思源;李京尚;耿俊雨;黄晓宇;张经纬设计研发完成，并于2025-03-26向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种SiC MOSFET栅极驱动器在说明书摘要公布了：一种SiCMOSFET栅极驱动器，包括栅极控制单元、电流反馈单元、栅极调节单元；栅极控制单元的输出端与待测SiCMOSFET的栅极g相连，包括推挽放大器，栅极开通电阻和栅极关断电阻，用于通过切换驱动电压实现SiCMOSFET栅极g的开通与关断；电流反馈单元连接在待测SiCMOSFET的功率源极S和栅极调节单元输入端之间，用于实时检测关断过程中漏极电流的变化速率，并根据漏极电流的变化速率反馈电流变化状态至栅极调节单元；栅极调节单元并联在栅极控制单元的输入端和栅极关断电阻间，用于接收电流反馈单元输出的电流变化状态信号，通过在漏极电流下降过程中增大栅极控制单元中的栅极电阻，使得待测SiCMOSFET关断速率减缓，降低漏极电流的下降速率，从而抑制关断过压尖峰。
本实用新型一种SiC MOSFET栅极驱动器在权利要求书中公布了：1.一种SiCMOSFET栅极驱动器，其特征在于，包括栅极控制单元、电流反馈单元及栅极调节单元；其中， 栅极控制单元，其输出端与待测SiCMOSFET的栅极g相连，栅极控制单元包括推挽放大器、栅极开通电阻和栅极关断电阻，用于通过切换驱动电压实现SiCMOSFET栅极g的开通与关断； 电流反馈单元，连接在待测SiCMOSFET的功率源极S和栅极调节单元输入端之间，用于实时检测关断过程中漏极电流的变化速率，并根据漏极电流的变化速率反馈电流变化状态至栅极调节单元； 栅极调节单元，并联在栅极控制单元的输入端和栅极关断电阻间，用于接收电流反馈单元输出的电流变化状态信号，通过在漏极电流下降过程中增大栅极控制单元中的栅极电阻，使得待测SiCMOSFET关断速率减缓，降低漏极电流的下降速率，从而抑制关断过压尖峰。
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