深圳市南方芯谷微电子有限公司谢大盛获国家专利权
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龙图腾网获悉深圳市南方芯谷微电子有限公司申请的专利一种内置电阻的MOS管芯片及电子设备获国家实用新型专利权，本实用新型专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN223968137U 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-03发布的实用新型授权公告中获悉：该实用新型的专利申请号/专利号为：202520503664.3，技术领域涉及：H10D84/40；该实用新型一种内置电阻的MOS管芯片及电子设备是由谢大盛;陈东纯设计研发完成，并于2025-03-20向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种内置电阻的MOS管芯片及电子设备在说明书摘要公布了：本实用新型公开了一种内置电阻的MOS管芯片及电子设备，MOS管芯片包括设置有栅极与源极的顶层以及设置有漏极的底层；所述顶层还设置有限流走线电阻和或分压走线电阻；所述限流走线电阻设置在顶层上，用于与主控芯片连接；所述分压走线电阻连接在MOS管芯片的漏极、源极或外连引脚之间，所述分压走线电阻的共接端用于与主控芯片连接。本实用新型采用走线电阻将限流电阻与分压电阻集成在MOS管芯片的内部，具体应用时提高了主控芯片的集成度，使得主控芯片的外围电路更加简单。
本实用新型一种内置电阻的MOS管芯片及电子设备在权利要求书中公布了：1.一种内置电阻的MOS管芯片，其特征在于，包括设置有栅极与源极的顶层以及设置有漏极的底层；所述顶层还设置有限流走线电阻和或分压走线电阻；所述限流走线电阻设置在顶层上，用于与主控芯片连接；所述分压走线电阻连接在MOS管芯片的漏极、源极或外连引脚之间，所述分压走线电阻的共接端用于与主控芯片连接。
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