台湾积体电路制造股份有限公司王宝明获国家专利权
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龙图腾网获悉台湾积体电路制造股份有限公司申请的专利半导体装置获国家实用新型专利权，本实用新型专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN223968138U 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-03发布的实用新型授权公告中获悉：该实用新型的专利申请号/专利号为：202520220037.9，技术领域涉及：H10D84/85；该实用新型半导体装置是由王宝明;陈亮吟;陈建豪设计研发完成，并于2025-02-12向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体装置在说明书摘要公布了：在一实施例中，一种半导体装置包含半导体基板、第一阱、第二阱、对准记号及隔绝层。半导体基板包含第一鳍片及第二鳍片。第一阱位于半导体基板中，其中第一鳍片在第一阱中，第一阱掺杂有具有第一导电类型的第一掺杂物。第二阱位于半导体基板中，其中第二鳍片在第二阱中，第二阱掺杂有具有不同于第一导电类型的第二导电类型的第二掺杂物。对准记号位于半导体基板中，其中对准记号包含由第一材料形成的下部及不同于第一材料的第二材料形成的上部。隔绝层位于第一鳍片、第二鳍片、半导体基板及对准记号上方。
本实用新型半导体装置在权利要求书中公布了：1.一种半导体装置，其特征在于，包含： 一半导体基板，该半导体基板包含一第一鳍片及一第二鳍片； 一第一阱，位于该半导体基板中，其中该第一鳍片在该第一阱中，该第一阱掺杂有具有一第一导电类型的一第一掺杂物； 一第二阱，位于该半导体基板中，其中该第二鳍片在该第二阱中，该第二阱掺杂有具有不同于该第一导电类型的一第二导电类型的一第二掺杂物； 一对准记号，位于该半导体基板中，其中该对准记号包含由一第一材料形成的一下部及不同于该第一材料的一第二材料形成的一上部；以及 一隔绝层，位于该第一鳍片、该第二鳍片、该半导体基板及该对准记号上方。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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