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中思航(长沙)半导体科技有限责任公司高超获国家专利权

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龙图腾网获悉中思航(长沙)半导体科技有限责任公司申请的专利一种改进型高效率IGBT芯片获国家实用新型专利权,本实用新型专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN223968205U

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-03发布的实用新型授权公告中获悉:该实用新型的专利申请号/专利号为:202520600960.5,技术领域涉及:H10W40/22;该实用新型一种改进型高效率IGBT芯片是由高超;曾欢;谭华;刘涛设计研发完成,并于2025-04-01向国家知识产权局提交的专利申请。

一种改进型高效率IGBT芯片在说明书摘要公布了:本实用新型公开了一种改进型高效率IGBT芯片,涉及电子芯片技术领域,包括防护外壳、智能控制模块、散热组件和可快速拆装的IGBT芯片安装板,所述防护外壳内部设有安装腔,所述防护外壳的前后端分别开设有前腔口和后腔口,所述防护外壳内底部开设有卡槽导轨,所述卡槽导轨呈燕尾形,所述IGBT芯片安装板的底部对应卡槽导轨的位置固定连接有适配的卡块,所述卡块为燕尾形且与安装板一体成型;本实用新型燕尾形卡槽导轨与卡块的配合,使IGBT芯片安装板能够快速、精准插入防护外壳的安装腔,无需复杂工具;同时,通过挤压槽、压板、滑块等组成的机械结构,在安装时自动锁定安装板,拆卸时只需简单操作解除锁定,即可轻松取出安装板,大大缩短维护时间。

本实用新型一种改进型高效率IGBT芯片在权利要求书中公布了:1.一种改进型高效率IGBT芯片,其特征在于,包括防护外壳1、智能控制模块8、散热组件和可快速拆装的IGBT芯片安装板2,所述防护外壳1内部设有安装腔,所述防护外壳1的前后端分别开设有前腔口22和后腔口24,所述防护外壳1内底部开设有卡槽导轨3,所述卡槽导轨3呈燕尾形,所述IGBT芯片安装板2的底部对应卡槽导轨3的位置固定连接有适配的卡块4,所述卡块4为燕尾形且与安装板一体成型。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术,可联系本专利的申请人或专利权人中思航(长沙)半导体科技有限责任公司,其通讯地址为:410205 湖南省长沙市高新开发区尖山路39号长沙中电软件园有限公司总部大楼312-19室;或者联系龙图腾网官方客服,联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

以上内容由龙图腾AI智能生成。

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