英飞凌科技奥地利有限公司G.纳鲍尔获国家专利权
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龙图腾网获悉英飞凌科技奥地利有限公司申请的专利半导体器件获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN111900146B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-06发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202010371506.9，技术领域涉及：H10P74/20；该发明授权半导体器件是由G.纳鲍尔;F.加泽设计研发完成，并于2020-05-06向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体器件在说明书摘要公布了：公开了一种半导体器件。在实施例中，提供半导体器件，其包括具有负载路径的主晶体管、用于感测在主晶体管的负载路径中流动的主电流的感测晶体管、以及用于保护感测晶体管的至少一个旁路二极管结构。所述至少一个旁路二极管结构与感测晶体管并联电耦合。
本发明授权半导体器件在权利要求书中公布了：1.一种半导体器件，包括： 主晶体管，具有负载路径，其中主晶体管包括多个主晶体管单元，每个主晶体管单元包括主沟槽和主台面，每个主沟槽包括主栅极电极，并且每个主台面包括布置在主本体区上的主源极区； 感测晶体管，用于感测在主晶体管的负载路径中流动的主电流，其中感测晶体管包括多个感测晶体管单元，每个感测晶体管单元包括感测沟槽和感测台面，每个感测沟槽包括感测栅极电极，并且每个感测台面包括布置在感测本体区上的感测源极区，其中感测源极区与主源极区电隔离； 至少一个旁路二极管结构，用于保护感测晶体管，其中旁路二极管结构包括多个旁路二极管沟槽和多个旁路二极管台面，每个旁路二极管台面包括耦合到感测晶体管的感测源极区的旁路本体区，其中旁路本体区延伸到旁路二极管台面的上表面，其中所述至少一个旁路二极管结构与感测晶体管并联电耦合， 其特征在于， 感测沟槽和旁路二极管沟槽形成公共沟槽，并且感测台面和旁路二极管台面形成公共台面。
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