台湾积体电路制造股份有限公司范妙璇获国家专利权
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龙图腾网获悉台湾积体电路制造股份有限公司申请的专利制造半导体器件的方法和半导体器件获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN112530869B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-06发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202010266691.5，技术领域涉及：H10D84/03；该发明授权制造半导体器件的方法和半导体器件是由范妙璇;李京桦;陈明德;李荣伟;李培炜设计研发完成，并于2020-04-07向国家知识产权局提交的专利申请。
本制造半导体器件的方法和半导体器件在说明书摘要公布了：半导体器件包括设置在沟道区域上方的栅极结构、设置在源极漏极区域处的源极漏极外延层、设置在源极漏极外延层上的含氮层、设置在含氮层上的硅化物层以及设置在硅化物层上的导电接触件。本发明的实施例还涉及制造半导体器件的方法。
本发明授权制造半导体器件的方法和半导体器件在权利要求书中公布了：1.一种制造半导体器件的方法，所述方法包括： 在设置在衬底上方的源极漏极区域处形成源极漏极外延层； 通过在加热所述衬底到475℃或高于475℃的温度的同时将所述源极漏极外延层的表面暴露于由含氮气体形成的等离子体，在所述源极漏极外延层的表面上形成含氮层，其中，所述含氮层是非平坦的并且具有朝向所述衬底的凸形弯曲形状； 在所述含氮层上方形成金属层；以及 在所述源极漏极区域上方并且基于所述金属层的元素形成所述源极漏极外延层的元素的合金层， 其中，在形成所述合金层之后，保留所述含氮层的一部分，并且所述含氮层在所述源极漏极外延层和所述金属层之间，并且所述含氮层包括至少5％原子的氮。
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