富士电机株式会社田中才工获国家专利权
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龙图腾网获悉富士电机株式会社申请的专利半导体装置的制造方法以及半导体装置获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113394119B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-06发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110103241.9，技术领域涉及：H10W70/04；该发明授权半导体装置的制造方法以及半导体装置是由田中才工设计研发完成，并于2021-01-26向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体装置的制造方法以及半导体装置在说明书摘要公布了：本发明提供削减制造成本并进行特性改善的半导体装置的制造方法以及半导体装置。在主电流引线框架41a的晶片焊盘部41a1的正面配置第一、第二半导体芯片21a、21b，进行布线。接着，以使主电流引线框架41a的端子部41a3突出，露出晶片焊盘部41a1的背面的方式，利用半固化状态的密封原料密封主电流引线框架41a和第一、第二半导体芯片21a、21b而形成半固化单元。并且，将绝缘片70的正面与半固化单元的背面压接，覆盖主电流引线框架41a的晶片焊盘部41a1的背面。在这样的制造方法中绝缘片70不会翘起，并且无论成形模具的规格如何都能够安装绝缘片70。
本发明授权半导体装置的制造方法以及半导体装置在权利要求书中公布了：1.一种半导体装置的制造方法，其特征在于，包括： 准备工序，准备功率半导体芯片、引线框架、半固化状态的绝缘片以及半固化状态的密封原料，该引线框架包括晶片焊盘部、以及与所述晶片焊盘部一体地连接的端子部； 安装工序，在所述晶片焊盘部的正面配置所述功率半导体芯片，并进行布线； 密封工序，以使所述端子部突出并露出所述晶片焊盘部的背面的方式，利用所述半固化状态的密封原料来密封所述引线框架和所述功率半导体芯片而形成半固化单元； 压接工序，将所述半固化状态的绝缘片的正面与所述半固化单元的背面压接而覆盖所述晶片焊盘部的背面；以及 固化工序，对所述半固化单元和所述半固化状态的绝缘片进行加热而使其固化。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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