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龙图腾网获悉台湾积体电路制造股份有限公司申请的专利形成半导体结构的方法以及形成接合半导体晶片的方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113471082B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-06发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110172516.4，技术领域涉及：H10P10/00；该发明授权形成半导体结构的方法以及形成接合半导体晶片的方法是由谢丰键;陈信吉;李国政;郑穆韩;郑允玮设计研发完成，并于2021-02-08向国家知识产权局提交的专利申请。

本形成半导体结构的方法以及形成接合半导体晶片的方法在说明书摘要公布了：一种形成半导体结构的方法以及形成接合半导体晶片的方法，可通过执行第一预接合边缘修剪制程来对第一晶圆的前侧周围区域进行边缘修剪。提供要与第一晶圆接合的第二晶圆。可选地，可通过执行第二预接合边缘修剪制程来对第二晶圆的前侧周围区域进行边缘修剪。第一晶圆的前表面接合至第二晶圆的前表面以形成接合组件。通过执行至少一个晶圆减薄制程来减薄第一晶圆的背侧。可通过执行接合后边缘修剪制程，来对第一晶圆及第二晶圆的前侧周围区域进行边缘修剪。接合组件可随后被切块成接合的半导体晶片。

本发明授权形成半导体结构的方法以及形成接合半导体晶片的方法在权利要求书中公布了：1.一种形成一半导体结构的方法，其特征在于，包括： 提供一第一晶圆，其中该第一晶圆包括一第一半导体基板、在该第一半导体基板上的第一半导体元件、在该第一半导体元件上的第一互连层级结构、在该第一互连层级结构上的第一接合垫层级介电层及在该第一接合垫层级介电层内的第一金属接合垫； 对该第一晶圆执行一第一预接合边缘修剪制程，其中该第一预接合边缘修剪制程移除该第一晶圆的一第一环形周围部分，该第一环形周围部分位于与该第一晶圆的一最外围相距一第一边缘修剪宽度内，且该第一环形周围部分位于与包括该第一晶圆的一第一顶表面的一第一水平面相距一第一边缘修剪深度内，该第一预接合边缘修剪制程在位于与该第一晶圆的一前表面相距该第一边缘修剪深度处的该第一水平面内形成一第一环形水平边缘修剪表面，该第一预接合边缘修剪制程在该第一晶圆上横向偏离该第一晶圆的该最外围达该第一边缘修剪宽度的位置处形成一第一圆柱形侧壁； 提供一第二晶圆，其中该第二晶圆包括一第二半导体基板、在该第二半导体基板上的第二半导体元件、在该第二半导体元件上的第二互连层级结构、在该第二互连层级结构上的第二接合垫层级介电层及在该第二接合垫层级介电层内的第二金属接合垫； 对该第二晶圆执行一第二预接合边缘修剪制程，其中该第二预接合边缘修剪制程移除该第二晶圆的一第二环形周围部分，该第二环形周围部分位于与该第二晶圆的一最外围相距一第二边缘修剪宽度内，且该第二环形周围部分位于与包括该第二晶圆的一第二顶表面的一第二水平面相距一第二边缘修剪深度内，该第二预接合边缘修剪制程在位于与该第二晶圆的一前表面相距该第二边缘修剪深度处的该第二水平面内形成一第二环形水平边缘修剪表面，该第二预接合边缘修剪制程在该第二晶圆上横向偏离该第二晶圆的该最外围达该第二边缘修剪宽度的位置处形成一第二圆柱形侧壁； 通过一金属与金属接合将该第一晶圆的该第一金属接合垫接合至该第二晶圆的该第二金属接合垫； 通过执行至少一个晶圆减薄制程，来减薄该第一晶圆的一背侧；以及 通过执行一接合后边缘修剪制程，来对该第一晶圆及该第二晶圆的一前侧周围区域进行边缘修剪。

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