江苏芯唐微电子有限公司李茂宾获国家专利权
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龙图腾网获悉江苏芯唐微电子有限公司申请的专利一种具有异质结的结势垒肖特基器件获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113675279B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-06发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110955608.X，技术领域涉及：H10D8/60；该发明授权一种具有异质结的结势垒肖特基器件是由李茂宾设计研发完成，并于2021-08-19向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种具有异质结的结势垒肖特基器件在说明书摘要公布了：本发明公开了一种具有异质结的结势垒肖特基器件，涉及肖特基器件领域，该结势垒肖特基器件在具有第一掺杂类型的半导体外延层的表面形成有第二掺杂类型的变掺杂区，变掺杂区内部设置有贯穿变掺杂区的表面至底部的具有第二掺杂类型的多晶硅层；当该结势垒肖特基器件正向偏置时，电流通过多晶硅层及其外部的变掺杂区与半导体外延层的接触界面形成的异质结，以及阳极金属层与半导体外延层的接触界面形成肖特基结流向漂移区，电流密度相对较大，由于半导体外延层整体的掺杂浓度不变，而且相同的变掺杂区同样可以夹断台面，使得肖特基势垒被屏蔽在高电场之外，所以，在有较优的正向导通特性的基础上，该结构的反向击穿特性也不会受到严重影响。
本发明授权一种具有异质结的结势垒肖特基器件在权利要求书中公布了：1.一种具有异质结的结势垒肖特基器件，其特征在于，所述结势垒肖特基器件包括从下至上依次层叠的阴极金属层、半导体衬底、半导体外延层以及阳极金属层，所述半导体衬底和半导体外延层均具有第一掺杂类型；所述半导体外延层的表面形成有第二掺杂类型的变掺杂区，所述变掺杂区内部设置有贯穿所述变掺杂区的表面至底部的具有第二掺杂类型的多晶硅层；所述多晶硅层及其外部的变掺杂区与所述半导体外延层的接触界面形成异质结，所述阳极金属层与所述半导体外延层的接触界面形成肖特基结；其中，基于所述变掺杂区使得肖特基势垒屏蔽在高电场之外； 所述多晶硅层位于所述变掺杂区的中心，所述多晶硅层与所述变掺杂区在垂直方向上的深度相等，所述多晶硅层在水平方向上的宽度与所述多晶硅层外侧的变掺杂区的宽度相等。
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