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龙图腾网获悉厦门优迅高速芯片有限公司申请的专利测试结构、测试系统以及测试方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113851456B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-06发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111125953.7，技术领域涉及：H10P74/00；该发明授权测试结构、测试系统以及测试方法是由彭慧耀;林淑寒;潘剑华;洪佳程设计研发完成，并于2021-09-24向国家知识产权局提交的专利申请。

本测试结构、测试系统以及测试方法在说明书摘要公布了：本申请公开一种测试结构、测试系统以及测试方法，能够提高检测上下层接触插塞短路时的检测准确性。所述测试结构设置在晶圆上，所述测试结构位于晶圆的第一区域内，所述测试结构包括：第一导电线路，包括设置在第一高度区域的第一接触插塞，所述第一接触插塞包括第一通孔，以及设置在所述第一通孔内的导电材料；第二导电线路，包括设置在第二高度区域的第二接触插塞，所述第二接触插塞包括第二通孔，以及设置在所述第二通孔内的导电材料；所述第一高度区域和第二高度区域沿垂直所述晶圆表面的方向邻接分布，且所述第一接触插塞和第二接触插塞在所述晶圆表面的投影的距离为预设阈值。

本发明授权测试结构、测试系统以及测试方法在权利要求书中公布了：1.一种测试结构，其特征在于，设置在晶圆上，所述测试结构位于晶圆的第一区域内，所述测试结构包括： 第一导电线路，包括设置在第一高度区域的第一接触插塞，所述第一接触插塞包括第一通孔，以及设置在所述第一通孔内的导电材料； 第二导电线路，包括设置在第二高度区域的第二接触插塞，所述第二接触插塞包括第二通孔，以及设置在所述第二通孔内的导电材料； 所述第一高度区域和第二高度区域沿垂直所述晶圆表面的方向邻接分布，且所述第一接触插塞和第二接触插塞在所述晶圆表面的投影的距离为预设阈值； 所述第一导电线路还至少包括设置在所述第一高度区域内的第一图形化金属层和第二图形化金属层，所述第一接触插塞中的导电材料至少电连接所述第一图形化金属层和第二图形化金属层； 所述第二导电线路还至少包括设置在所述第二高度区域内的第三图形化金属层，所述第二接触插塞中的导电材料至少电连接所述第三图形化金属层； 其中，所述第一图形化金属层和所述第二图形化金属层交错设置，且均呈断续的线条状，所述第二图形化金属层与所述第一图形化金属层至少部分相交，所述第一接触插塞形成在该相交的区域内； 以及，所述第一导电线路包括第一主要线路以及第一分支线路，所述第一主要线路折叠弯曲设置，所述第一分支线路沿所述第一主要线路设置，与所述第一主要线路连接，且所述第一分支线路在所述晶圆表面的投影朝向所述第二导电线路设置。

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